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2N6059 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 100 V, 4 MHz, 150 W, 12 A

SKU : C05A199
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98 en stock


Transistor simple bipolaire  NPN, 100 V, 4 MHz, 150 W, 12 A

45.00DHS

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Caractéristiques:

  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 100V
  • Courant de collecteur DC: 12A
  • Gain en courant DC hFE: 100
  • Dissipation de puissance Pd: 150W
  • Fréquence de transition ft: 4MHz
  • Nombre de broches: 3
  • Température de fonctionnement max..: 200°C
  • Polarité transistor: NPN
  • Type de boîtier de transistor: TO-3
UGS : C05A199 Catégories : , , ,

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