FGH80N60FDTU IGBT Canal-N 80A 600V A-247

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Description

Caractéristiques techniques:

  • Courant continu de Collecteur maximum    80A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum    600V
  • Tension Grille Emetteur maximum    ±20V
  • Type de boîtier    TO-247
  • Type de montage    Traversant
  • Type de canal    N
  • Nombre de broche    3
  • Configuration    Simple

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ImageFGH80N60FDTU IGBT Canal-N 80A 600V A-247BC337-40, NPN 45V 800mA2N3904 TRANSISTOR NPN TO-92Transistor MOSFETCanal-N, 0.5A dc 60V dc2sc 5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200wTransistor, Fairchild, BC559BTA
SKUC05A429C05A062C05A151C05A070C05A145C05A068
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Description

Transistor bipolaire, BC337-40, NPN 45V 800mA

  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
  • Courant de collecteur DC: 200mA

5xTransistor MOSFETCanal-N, 0.5A dc 60V dc

Ce produit est vendu par packet de 5 unités.

2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w

5xTransistor bipolaire  PNP -30 V -100 mA, TO-92, 3 broches

Content

Caractéristiques techniques:

  • Courant continu de Collecteur maximum    80A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum    600V
  • Tension Grille Emetteur maximum    ±20V
  • Type de boîtier    TO-247
  • Type de montage    Traversant
  • Type de canal    N
  • Nombre de broche    3
  • Configuration    Simple

Petits signaux NPN, 600 → 800 mA

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 A

MOSFET - Canal N

Le transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
Une tension sur l'électrode grille isolée par un oxyde peut créer un canal de conduction entre les deux autres contacts appelés Source et Drain. Le canal peut être de type N ou de type P.

Petit signal PNP, jusqu'à 100 mA

 

Petit signal PNP

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

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