FGH80N60FDTU IGBT Canal-N 80A 600V A-247
Description
Caractéristiques techniques:
- Courant continu de Collecteur maximum 80A
- Tension Collecteur Emetteur maximum 600V
- Tension Grille Emetteur maximum ±20V
- Type de boîtier TO-247
- Type de montage Traversant
- Type de canal N
- Nombre de broche 3
- Configuration Simple
Quick Comparison
Settings | FGH80N60FDTU IGBT Canal-N 80A 600V A-247 remove | BC337-40,NPN 45V 800mA remove | 2N3904 TRANSISTOR NPN TO-92 remove | 0.5A dc 60V dc Mosfet - Transistor MOSFET Canal-N remove | 2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w remove | PNP -30 V -100 mA remove |
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Image | ||||||
SKU | C05A429 | C05A062 | C05A151 | C05A070 | C05A145 | C05A068 |
Rating | ||||||
Price | 40.00د.م. | 1.00د.م. | 2.00د.م. | 8.50د.م. | 25.00د.م. | 3.50د.م. |
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Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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Description | Transistor bipolaire, BC337-40, NPN 45V 800mA |
| 5xTransistor MOSFETCanal-N, 0.5A dc 60V dc Ce produit est vendu par packet de 5 unités. | 2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w | 5xTransistor bipolaire PNP -30 V -100 mA, TO-92, 3 broches | |
Content | Caractéristiques techniques:
| Petits signaux NPN, 600 → 800 mAPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 AMOSFET - Canal NLe transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. | Petit signal PNP, jusqu'à 100 mAPetit signal PNPLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P. | ||
Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
Additional information |