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IRG4PH50UD Transistor IGBT Canal-N 45A 1200V TO-247
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IRG4PH50UDPBF Transistor IGBT Canal-N
Description
Caractéristiques:
- Configuration Simple
- Courant continu de Collecteur maximum 45 A
- Dimensions 15.9 x 5.3 x 20.3mm
- Hauteur 20.3mm
- Type de boîtier TO-247AC
- Type de canal N
Quick Comparison
| Settings | IRG4PH50UD Transistor IGBT Canal-N 45A 1200V TO-247 remove | BD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A remove | 2N3904 TRANSISTOR NPN TO-92 remove | 2N4401 40V Transistor NPN remove | BC548A, NPN 30V 100mA remove | PNP -30 V -100 mA remove |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Image | |  |  |  |  |  |
| SKU | C05A316 | C05A191 | C05A151 | C05A157 | C05A122 | C05A068 |
| Rating | ||||||
| Price | 45.00د.م. | 7.00د.م. | 2.00د.م. | 1.50د.م. | 2.00د.م. | 3.50د.م. |
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|
| Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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| Description | IRG4PH50UDPBF Transistor IGBT Canal-N | NPN, 60 V, 40 W, 4 A |
| 2N4401 40V Transistor NPN | Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA | 5xTransistor bipolaire PNP -30 V -100 mA, TO-92, 3 broches |
| Content | Caractéristiques:
| Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V |
| Petit signal PNP, jusqu'à 100 mAPetit signal PNPLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P. | ||
| Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
| Additional information |
