G4PC40UD IGBT, Canal-N, 40A 600 V TO-247AC

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IRG4PC40UDPBF

Description

Caractéristiques techniques:

  • Courant continu de Collecteur maximum    40 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum    600 V
  • Tension Grille Emetteur maximum    ±20V
  • Type de boîtier    TO-247AC
  • Type de montage    Traversant
  • Type de canal    N
  • Nombre de broche    3
  • Configuration    Simple

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SettingsG4PC40UD IGBT, Canal-N, 40A 600 V TO-247AC removeBC548A, NPN 30V 100mA remove2N4401 40V Transistor NPN removeIRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V removeD1535 Transistor NPN removeTIP142 10A 100V Darlington Transistor NPN remove
ImageIRG4PH40UD Transistor IGBT, Canal-N, 41 A 1200 V TO-247AC, 3 brochesTransistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA2N4401 40V Transistor NPNIRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 VD1535 Transistor NPNTIP142 10A 100V Darlington Transistor NPN
SKUC05A247C05A122C05A157C05A189C05A143C05A153
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Description

IRG4PC40UDPBF

Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA

2N4401 40V  Transistor NPN

Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V

D1535 Transistor NPN

Amps: 10
Voltage: 100
Package: TO-218
Nombre de terminaux: 3

Content

Caractéristiques techniques:

  • Courant continu de Collecteur maximum    40 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum    600 V
  • Tension Grille Emetteur maximum    ±20V
  • Type de boîtier    TO-247AC
  • Type de montage    Traversant
  • Type de canal    N
  • Nombre de broche    3
  • Configuration    Simple
  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
  • Courant de collecteur DC: 600mA
  • Nombre de broches: 3
  • Température de fonctionnement max..: 150°C
  • Polarité transistor: NPN
  • Type de boîtier de transistor: TO-92

Courant de drain Id: 11A
Dissipation de puissance Pd: 38W
Tension Vds max..: 55V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.175ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal P
Tension, mesure Rds: -10V
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Tension de seuil Vgs: -4V
Type de boîtier de transistor: TO-251AA

Maximum Ratings:
Collector-base voltage (IE = 0): 100V
Collector-emitter voltage (IB = 0): 100V
Emitter-base voltage (IC = 0): 5.0V
Collector current: 10A
Collector peak current: 20A
Base current: 0.5A

Applications: Linear and Switching Industrial Equipment

Weight000000
DimensionsNDNDNDNDNDND
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