MJL21193G Transistor, PNP, 250 V, 16 A, TO-264, 3 broches

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  • Courant continu de Collecteur maximum     16 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum     250 V
  • Tension Collecteur Base maximum     400 V c.c.

Description

Caractéristiques techniques:

  • Type de transistor     PNP
  • Courant continu de Collecteur maximum     16 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum     250 V
  • Type de boîtier     TO-264
  • Type de montage     Traversant
  • Dissipation de puissance maximum     200 W
  • Gain en courant DC minimum     8
  • Configuration du transistor     Simple
  • Tension Collecteur Base maximum     400 V c.c.
  • Tension Emetteur Base maximum     5 V
  • Fréquence de fonctionnement maximum     1 MHz
  • Nombre de broche     3
  • Largeur     5.3mm
  • Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum     4 V c.c.
  • Hauteur     29mm
  • Température d’utilisation maximum     +150 °C
  • Longueur     20.3mm
  • Dimensions     20.3 x 5.3 x 29mm

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SettingsMJL21193G Transistor, PNP, 250 V, 16 A, TO-264, 3 broches removeTIP122 5A 100V Transistor NPN removeModule IGBT QM20td-h304 removeBC337-40,NPN 45V 800mA removeG15N60 - Transistor IGBT 15A 600V removeBC548A, NPN 30V 100mA remove
ImageMJL21193G Transistor, PNP, 250 V, 16 A, TO-264, 3 brochesTIP122 5A 100V Transistor NPNBC337-40, NPN 45V 800mAG15N60 - Transistor IGBT 15A 600VTransistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA
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Description
  • Courant continu de Collecteur maximum     16 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum     250 V
  • Tension Collecteur Base maximum     400 V c.c.

TIP122 5A 100V  Transistor NPN

  • MITSUBISHI
  • IC Collector current 20A
  • VCEX Collector-emitter voltage 600V

Transistor bipolaire, BC337-40, NPN 45V 800mA

Applications:

AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.

Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA

Content

Caractéristiques techniques:

  • Type de transistor     PNP
  • Courant continu de Collecteur maximum     16 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum     250 V
  • Type de boîtier     TO-264
  • Type de montage     Traversant
  • Dissipation de puissance maximum     200 W
  • Gain en courant DC minimum     8
  • Configuration du transistor     Simple
  • Tension Collecteur Base maximum     400 V c.c.
  • Tension Emetteur Base maximum     5 V
  • Fréquence de fonctionnement maximum     1 MHz
  • Nombre de broche     3
  • Largeur     5.3mm
  • Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum     4 V c.c.
  • Hauteur     29mm
  • Température d'utilisation maximum     +150 °C
  • Longueur     20.3mm
  • Dimensions     20.3 x 5.3 x 29mm

Package / Case TO-220
Current Rating 5A
Voltage Rated 100V
Transistor Type NPN

Petits signaux NPN, 600 → 800 mA

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

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