MJL21193G Transistor, PNP, 250 V, 16 A, TO-264, 3 broches
- Courant continu de Collecteur maximum 16 A
- Tension Collecteur Emetteur maximum 250 V
- Tension Collecteur Base maximum 400 V c.c.
Description
Caractéristiques techniques:
- Type de transistor PNP
- Courant continu de Collecteur maximum 16 A
- Tension Collecteur Emetteur maximum 250 V
- Type de boîtier TO-264
- Type de montage Traversant
- Dissipation de puissance maximum 200 W
- Gain en courant DC minimum 8
- Configuration du transistor Simple
- Tension Collecteur Base maximum 400 V c.c.
- Tension Emetteur Base maximum 5 V
- Fréquence de fonctionnement maximum 1 MHz
- Nombre de broche 3
- Largeur 5.3mm
- Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 4 V c.c.
- Hauteur 29mm
- Température d’utilisation maximum +150 °C
- Longueur 20.3mm
- Dimensions 20.3 x 5.3 x 29mm
Quick Comparison
Settings | MJL21193G Transistor, PNP, 250 V, 16 A, TO-264, 3 broches remove | TIP122 5A 100V Transistor NPN remove | Module IGBT QM20td-h304 remove | BC337-40,NPN 45V 800mA remove | G15N60 - Transistor IGBT 15A 600V remove | BC548A, NPN 30V 100mA remove |
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Image | ||||||
SKU | C05A335 | C05A154 | C05A175 | C05A062 | C05A177 | C05A122 |
Rating | ||||||
Price | 30.00د.م. | 5.00د.م. | 350.00د.م. | 1.00د.م. | 30.00د.م. | 2.00د.م. |
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Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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Description |
| TIP122 5A 100V Transistor NPN |
| Transistor bipolaire, BC337-40, NPN 45V 800mA | Applications: AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls. | Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA |
Content | Caractéristiques techniques:
| Package / Case TO-220 | Petits signaux NPN, 600 → 800 mAPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | |||
Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
Additional information |