BD680 Transistor Darlington, PNP 4 A, 80 V, SOT-32, 3 broches

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PNP 4 A, 80 V

Description

Caractéristiques techniques:

  • Configuration    Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum    4 A
  • Courant de coupure Collecteur maximum    0.2mA
  • Dimensions    7.8 x 2.7 x 10.8mm
  • Gain en courant DC minimum    750
  • Hauteur    10.8mm
  • Largeur    2.7mm
  • Longueur    7.8mm
  • Nombre d’éléments par circuit    1
  • Nombre de broche    3
  • Température d’utilisation maximum    +150 °C
  • Température de fonctionnement minimum    -65 °C
  • Tension Collecteur Base maximum    80 V
  • Tension Collecteur Emetteur maximum    80 V
  • Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum    2,5 V
  • Tension Emetteur Base maximum    5 V
  • Type de boîtier    SOT-32
  • Type de montage    Traversant
  • Type de transistor    PNP

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SettingsBD680 Transistor Darlington, PNP 4 A, 80 V, SOT-32, 3 broches removeTIP142 10A 100V Darlington Transistor NPN removeBC548A, NPN 30V 100mA removeBC337-40,NPN 45V 800mA removeBD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A removeModule IGBT QM20td-h304 remove
ImageBD680 Transistor Darlington, PNP 4 A, 80 V, SOT-32, 3 brochesTIP142 10A 100V Darlington Transistor NPNTransistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mABC337-40, NPN 45V 800mABD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A
SKUC05A210C05A153C05A122C05A062C05A191C05A175
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Description

PNP 4 A, 80 V

Amps: 10
Voltage: 100
Package: TO-218
Nombre de terminaux: 3

Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA

Transistor bipolaire, BC337-40, NPN 45V 800mA

NPN, 60 V, 40 W, 4 A

  • MITSUBISHI
  • IC Collector current 20A
  • VCEX Collector-emitter voltage 600V
Content

Caractéristiques techniques:

  • Configuration    Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum    4 A
  • Courant de coupure Collecteur maximum    0.2mA
  • Dimensions    7.8 x 2.7 x 10.8mm
  • Gain en courant DC minimum    750
  • Hauteur    10.8mm
  • Largeur    2.7mm
  • Longueur    7.8mm
  • Nombre d'éléments par circuit    1
  • Nombre de broche    3
  • Température d'utilisation maximum    +150 °C
  • Température de fonctionnement minimum    -65 °C
  • Tension Collecteur Base maximum    80 V
  • Tension Collecteur Emetteur maximum    80 V
  • Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum    2,5 V
  • Tension Emetteur Base maximum    5 V
  • Type de boîtier    SOT-32
  • Type de montage    Traversant
  • Type de transistor    PNP

Maximum Ratings:
Collector-base voltage (IE = 0): 100V
Collector-emitter voltage (IB = 0): 100V
Emitter-base voltage (IC = 0): 5.0V
Collector current: 10A
Collector peak current: 20A
Base current: 0.5A

Applications: Linear and Switching Industrial Equipment

Petits signaux NPN, 600 → 800 mA

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V
Courant de collecteur DC: 4A
Gain en courant DC hFE: 750
Dissipation de puissance Pd: 40W
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-126

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DimensionsNDNDNDNDNDND
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