2N4403 Transistor PNP 40V 0.6A
2N4403 40V Transistor PNP
Description
- Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
- Courant de collecteur DC: 600mA
- Nombre de broches: 3
- Type de boîtier de transistor: TO-92
Quick Comparison
Settings | 2N4403 Transistor PNP 40V 0.6A remove | BC338-16, NPN 25V 800mA remove | 0.5A dc 60V dc Mosfet - Transistor MOSFET Canal-N remove | TIP142 10A 100V Darlington Transistor NPN remove | IRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V remove | BC547A, NPN 45V 100mA remove |
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Image | ||||||
SKU | C05A158 | C05A061 | C05A070 | C05A153 | C05A189 | C05A065 |
Rating | ||||||
Price | 1.50د.م. | 1.00د.م. | 8.50د.م. | 6.00د.م. | 6.00د.م. | 1.00د.م. |
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Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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Description | 2N4403 40V Transistor PNP | Transistor bipolaire, BC338-16, NPN 25V 800mA | 5xTransistor MOSFETCanal-N, 0.5A dc 60V dc Ce produit est vendu par packet de 5 unités. | Amps: 10 | Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V | BC547A, NPN 45V 100mA |
Content |
| Petits signaux NPN, 600 → 800 mAPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 AMOSFET - Canal NLe transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. | Maximum Ratings: | Courant de drain Id: 11A | Petit signal NPN, 100 mA, 40 → 45 VPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. |
Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
Additional information |