2SA1943-O 230V 15A Transistor PNP

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Les transistors 2SC5200 (NPN) est le 2SA1943 (PNP) pour réaliser un ampli audio hifi ou sono

  • Tension Vce : 230V max
  • Courant collecteur Ic : 15A
  • Courant de base : 1,5A
  • Puissance dissipable : 150W (boitier maintenu 25°C)

Description

Caractéristiques:

  • Type de transistor    PNP
  • Courant continu de Collecteur maximum    15 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum    230 V
  • Type de boîtier    TO-3PL
  • Type de montage    Traversant
  • Dissipation de puissance maximum    150 W
  • Gain en courant DC minimum    35
  • Configuration du transistor    Simple
  • Tension Collecteur Base maximum    -230 V
  • Tension Emetteur Base maximum    -5 V
  • Fréquence de fonctionnement maximum    30 MHz
  • Nombre de broche    3

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Settings2SA1943-O 230V 15A Transistor PNP removeBC547A, NPN 45V 100mA remove2N3906, PNP -40 V -200 mA removeC5707 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 A remove17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 remove2N2222, NPN 40 V 1 A remove
Image2SA1943-O 230V 15A Transistor PNPBC547A, NPN 45V 100mAPNP -40V -200mAC5707 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 A17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3NPN 40V 1A, Amplificateur de puissance
SKUC05A268C05A065C05A067C05A188C05A190C05A063
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Description

Les transistors 2SC5200 (NPN) est le 2SA1943 (PNP) pour réaliser un ampli audio hifi ou sono

  • Tension Vce : 230V max
  • Courant collecteur Ic : 15A
  • Courant de base : 1,5A
  • Puissance dissipable : 150W (boitier maintenu 25°C)

BC547A, NPN 45V 100mA

Transistor bipolaire, 2N3906, PNP -40 V -200 mA,  TO-92, 3 broches

NPN, 50 V, 8A

MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3

Transistor bipolaire, PN2222ATFR, NPN 40 V 1 A
Content

Caractéristiques:

  • Type de transistor    PNP
  • Courant continu de Collecteur maximum    15 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum    230 V
  • Type de boîtier    TO-3PL
  • Type de montage    Traversant
  • Dissipation de puissance maximum    150 W
  • Gain en courant DC minimum    35
  • Configuration du transistor    Simple
  • Tension Collecteur Base maximum    -230 V
  • Tension Emetteur Base maximum    -5 V
  • Fréquence de fonctionnement maximum    30 MHz
  • Nombre de broche    3

Petit signal NPN, 100 mA, 40 → 45 V

 

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Petit signal PNP, 150 → 400 mA

 

Petit signal PNP

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 50V
Courant de collecteur DC: 8A
Gain en courant DC hFE: 200
Dissipation de puissance Pd: 15W
Fréquence de transition ft: 330MHz
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-251

Courant de drain Id: 17A
Dissipation de puissance Pd: 227W
Tension Vds max..: 800V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.25ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal N
Tension, mesure Rds: 10V
Tension de seuil Vgs: 3V
Type de boîtier de transistor: TO-220

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