MJ15025G Transistor PNP 250V 16A TO-204

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Description

Caractéristiques:

  • Type de transistor     PNP
  • Courant continu de Collecteur maximum     16 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum     250 V
  • Type de boîtier     TO-204
  • Dissipation de puissance maximum     250 W
  • Gain en courant DC minimum     5
  • Tension Collecteur Base maximum     400 V
  • Tension Emetteur Base maximum     5 V
  • Fréquence de fonctionnement maximum     4 MHz
  • Nombre de broche     3

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SettingsMJ15025G Transistor PNP 250V 16A TO-204 removeModule IGBT QM20td-h304 removeD1795 Transistor NPN 10A remove0.5A dc 60V dc Mosfet - Transistor MOSFET Canal-N removeBD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A removeTIP122 5A 100V Transistor NPN remove
ImageMJ15025G Transistor PNP 250V 16A TO-204D1795 Transistor NPN 10ATransistor MOSFETCanal-N, 0.5A dc 60V dcBD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 ATIP122 5A 100V Transistor NPN
SKUC05A435C05A175C05A144C05A070C05A191C05A154
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Description
  • MITSUBISHI
  • IC Collector current 20A
  • VCEX Collector-emitter voltage 600V

D1795 Transistor NPN 10A

5xTransistor MOSFETCanal-N, 0.5A dc 60V dc

Ce produit est vendu par packet de 5 unités.

NPN, 60 V, 40 W, 4 A

TIP122 5A 100V  Transistor NPN

Content

Caractéristiques:

  • Type de transistor     PNP
  • Courant continu de Collecteur maximum     16 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum     250 V
  • Type de boîtier     TO-204
  • Dissipation de puissance maximum     250 W
  • Gain en courant DC minimum     5
  • Tension Collecteur Base maximum     400 V
  • Tension Emetteur Base maximum     5 V
  • Fréquence de fonctionnement maximum     4 MHz
  • Nombre de broche     3

Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 A

MOSFET - Canal N

Le transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
Une tension sur l'électrode grille isolée par un oxyde peut créer un canal de conduction entre les deux autres contacts appelés Source et Drain. Le canal peut être de type N ou de type P.

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V
Courant de collecteur DC: 4A
Gain en courant DC hFE: 750
Dissipation de puissance Pd: 40W
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-126

Package / Case TO-220
Current Rating 5A
Voltage Rated 100V
Transistor Type NPN

Weight000000
DimensionsNDNDNDNDNDND
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