HGTG40N60B3 IGBT Canal-N 70A 600V A-247
G40N60B3 IGBT Canal-N 70A 600V
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Settings | HGTG40N60B3 IGBT Canal-N 70A 600V A-247 remove | 2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w remove | BC547A, NPN 45V 100mA remove | BC548A, NPN 30V 100mA remove | TIP122 5A 100V Transistor NPN remove | 17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 remove |
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SKU | C05A431 | C05A145 | C05A065 | C05A122 | C05A154 | C05A190 |
Rating | ||||||
Price | 45.00د.م. | 25.00د.م. | 1.00د.م. | 2.00د.م. | 5.00د.م. | 25.00د.م. |
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Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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Description | G40N60B3 IGBT Canal-N 70A 600V | 2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w | BC547A, NPN 45V 100mA | Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA | TIP122 5A 100V Transistor NPN | MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 |
Content | Petit signal NPN, 100 mA, 40 → 45 VPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | Package / Case TO-220 | Courant de drain Id: 17A | |||
Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
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