50JR22 GT50JR22 IGBT 50A 600 V

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IGBT 50A 600V Canal-N TO-3P

Description

Caractéristiques techniques:

Courant continu de Collecteur maximum 50 A
Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V
Tension Grille Emetteur maximum ±25V
Type de boîtier TO-3P
Type de canal N
Nombre de broches 3

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DescriptionIGBT 50A 600V Canal-N TO-3P

2N4401 40V  Transistor NPN

D1795 Transistor NPN 10A

Transistor bipolaire, BC337-40, NPN 45V 800mA

BC547A, NPN 45V 100mA

Applications:

AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.

ContentCaractéristiques techniques:
Courant continu de Collecteur maximum 50 A
Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V
Tension Grille Emetteur maximum ±25V
Type de boîtier TO-3P
Type de canal N
Nombre de broches 3
  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
  • Courant de collecteur DC: 600mA
  • Nombre de broches: 3
  • Température de fonctionnement max..: 150°C
  • Polarité transistor: NPN
  • Type de boîtier de transistor: TO-92

Petits signaux NPN, 600 → 800 mA

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Petit signal NPN, 100 mA, 40 → 45 V

 

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

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