50JR22 GT50JR22 IGBT 50A 600 V
IGBT 50A 600V Canal-N TO-3P
Description
Caractéristiques techniques:
Courant continu de Collecteur maximum | 50 A |
Tension Collecteur Emetteur maximum | 600 V |
Tension Grille Emetteur maximum | ±25V |
Type de boîtier | TO-3P |
Type de canal | N |
Nombre de broches | 3 |
Quick Comparison
Settings | 50JR22 GT50JR22 IGBT 50A 600 V remove | 2N4401 40V Transistor NPN remove | D1795 Transistor NPN 10A remove | BC337-40,NPN 45V 800mA remove | BC547A, NPN 45V 100mA remove | G15N60 - Transistor IGBT 15A 600V remove | ||||||||||||
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Image | ||||||||||||||||||
SKU | C05A459 | C05A157 | C05A144 | C05A062 | C05A065 | C05A177 | ||||||||||||
Rating | ||||||||||||||||||
Price | 30.00د.م. | 1.50د.م. | 20.00د.م. | 1.00د.م. | 1.00د.م. | 30.00د.م. | ||||||||||||
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Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | ||||||||||||
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Description | IGBT 50A 600V Canal-N TO-3P | 2N4401 40V Transistor NPN | D1795 Transistor NPN 10A | Transistor bipolaire, BC337-40, NPN 45V 800mA | BC547A, NPN 45V 100mA | Applications: AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls. | ||||||||||||
Content | Caractéristiques techniques:
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| Petits signaux NPN, 600 → 800 mAPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | Petit signal NPN, 100 mA, 40 → 45 VPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | ||||||||||||||
Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | ||||||||||||
Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND | ||||||||||||
Additional information |