IGBT, 18N120BND, Canal-N, 54 A 1200 V A-247, 3 broches

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Description

Caractéristiques techniques:

  • Courant continu de Collecteur maximum    54 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum    1200 V
  • Tension Grille Emetteur maximum    ±20V
  • Dissipation de puissance maximum    390 W
  • Type de boîtier    A-247
  • Type de montage    Traversant
  • Type de canal    N
  • Nombre de broche    3
  • Configuration du transistor    Simple
  • Longueur    15.87mm
  • Largeur    4.82mm
  • Hauteur    20.82mm
  • Dimensions    15.87 x 4.82 x 20.82mm
  • Température d’utilisation maximum    +150 °C
  • Température de fonctionnement minimum    -55 °C

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SettingsIGBT, 18N120BND, Canal-N, 54 A 1200 V A-247, 3 broches remove17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 removeIR2110 Driver Mosfet DIP-14 remove2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w removeBC338-16, NPN 25V 800mA removeBC548A, NPN 30V 100mA remove
ImageIGBT, 18N120BND, Canal-N, 54 A 1200 V A-247, 3 broches17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3IR2110 Driver de mosfet DIP-142sc 5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200wBC338-16, NPN 25V 800mATransistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA
SKUC05A303C05A190C05A107C05A145C05A061C05A122
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Description

MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3

Driver MOSFET DIP-14

2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w

Transistor bipolaire, BC338-16, NPN 25V 800mA

Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA

Content

Caractéristiques techniques:

  • Courant continu de Collecteur maximum    54 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum    1200 V
  • Tension Grille Emetteur maximum    ±20V
  • Dissipation de puissance maximum    390 W
  • Type de boîtier    A-247
  • Type de montage    Traversant
  • Type de canal    N
  • Nombre de broche    3
  • Configuration du transistor    Simple
  • Longueur    15.87mm
  • Largeur    4.82mm
  • Hauteur    20.82mm
  • Dimensions    15.87 x 4.82 x 20.82mm
  • Température d'utilisation maximum    +150 °C
  • Température de fonctionnement minimum    -55 °C

Courant de drain Id: 17A
Dissipation de puissance Pd: 227W
Tension Vds max..: 800V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.25ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal N
Tension, mesure Rds: 10V
Tension de seuil Vgs: 3V
Type de boîtier de transistor: TO-220

Petits signaux NPN, 600 → 800 mA

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

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DimensionsNDNDNDNDNDND
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