2N3906, PNP -40 V -200 mA
Transistor bipolaire, 2N3906, PNP -40 V -200 mA, TO-92, 3 broches
Description
Petit signal PNP, 150 → 400 mA
Petit signal PNP
Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu’à 1 000 mA, et l’alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.
Quick Comparison
Settings | 2N3906, PNP -40 V -200 mA remove | TIP142 10A 100V Darlington Transistor NPN remove | BC337-40,NPN 45V 800mA remove | 1.2A 600V Mosfet - Transistor MOSFET Canal-N remove | NPN,BC546 remove | BC548A, NPN 30V 100mA remove |
---|---|---|---|---|---|---|
Image | ||||||
SKU | C05A067 | C05A153 | C05A062 | C05A071 | C05A064 | C05A122 |
Rating | ||||||
Price | 1.00د.م. | 6.00د.م. | 1.00د.م. | 74.50د.م. | 2.00د.م. | 2.00د.م. |
Stock | In Stock
| In Stock
| In Stock
| In Stock
| In Stock
| In Stock
|
Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
Add to cart | ||||||
Description | Transistor bipolaire, 2N3906, PNP -40 V -200 mA, TO-92, 3 broches | Amps: 10 | Transistor bipolaire, BC337-40, NPN 45V 800mA | 5xTransistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600V Ce produit est vendu par packet de 5 unités. | 5xTransistor bipolaire NPN, BC546 | Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA |
Content | Petit signal PNP, 150 → 400 mAPetit signal PNPLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P. | Maximum Ratings: | Petits signaux NPN, 600 → 800 mAPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 AMOSFET - Canal NLe transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. | Petit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | |
Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
Additional information |