BD244C Transistor, PNP, 100 V, 6 A, TO-220
Description
Caractéristiques techniques:
- Type de transistor PNP
- Courant continu de Collecteur maximum 6 A
- Tension Collecteur Emetteur maximum 100 V
- Type de boîtier A-220
- Type de montage Traversant
- Dissipation de puissance maximum 65 W
- Gain en courant DC minimum 30
- Configuration du transistor Simple
- Tension Collecteur Base maximum -100 V
- Tension Emetteur Base maximum -5 V
- Nombre de broche 3
Quick Comparison
Settings | BD244C Transistor, PNP, 100 V, 6 A, TO-220 remove | BC548A, NPN 30V 100mA remove | Module IGBT QM20td-h304 remove | D1795 Transistor NPN 10A remove | 17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 remove | BC547A, NPN 45V 100mA remove |
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Image | ||||||
SKU | C05A378 | C05A122 | C05A175 | C05A144 | C05A190 | C05A065 |
Rating | ||||||
Price | 10.00د.م. | 2.00د.م. | 350.00د.م. | 20.00د.م. | 25.00د.م. | 1.00د.م. |
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Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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Description | Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA |
| D1795 Transistor NPN 10A | MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 | BC547A, NPN 45V 100mA | |
Content | Caractéristiques techniques:
| Courant de drain Id: 17A | Petit signal NPN, 100 mA, 40 → 45 VPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | |||
Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
Additional information |