BD244C Transistor, PNP, 100 V, 6 A, TO-220

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Description

Caractéristiques techniques:

  • Type de transistor     PNP
  • Courant continu de Collecteur maximum     6 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum     100 V
  • Type de boîtier     A-220
  • Type de montage     Traversant
  • Dissipation de puissance maximum     65 W
  • Gain en courant DC minimum     30
  • Configuration du transistor     Simple
  • Tension Collecteur Base maximum     -100 V
  • Tension Emetteur Base maximum     -5 V
  • Nombre de broche     3

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ImageBD244C Transistor, PNP, 100 V, 6 A, TO-220Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mAD1795 Transistor NPN 10A17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3BC547A, NPN 45V 100mA
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Description

Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA

  • MITSUBISHI
  • IC Collector current 20A
  • VCEX Collector-emitter voltage 600V

D1795 Transistor NPN 10A

MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3

BC547A, NPN 45V 100mA

Content

Caractéristiques techniques:

  • Type de transistor     PNP
  • Courant continu de Collecteur maximum     6 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum     100 V
  • Type de boîtier     A-220
  • Type de montage     Traversant
  • Dissipation de puissance maximum     65 W
  • Gain en courant DC minimum     30
  • Configuration du transistor     Simple
  • Tension Collecteur Base maximum     -100 V
  • Tension Emetteur Base maximum     -5 V
  • Nombre de broche     3

Courant de drain Id: 17A
Dissipation de puissance Pd: 227W
Tension Vds max..: 800V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.25ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal N
Tension, mesure Rds: 10V
Tension de seuil Vgs: 3V
Type de boîtier de transistor: TO-220

Petit signal NPN, 100 mA, 40 → 45 V

 

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

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