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PM20CSJ060 Transistor module IGBT, Canal N, 20A, 600 V
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PM20CSJ060 Transistor module et réseau IGBT
Description
Spécifications:
- Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on): 1.8V
- Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 600V
- Courant de collecteur DC: 20A
- Dissipation de puissance Pd: 56W
- Nombre de broches: 23
- Température de fonctionnement max..: 150°C
- Polarité transistor: Canal N
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