2N4401 40V Transistor NPN
2N4401 40V Transistor NPN
Description
- Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
- Courant de collecteur DC: 600mA
- Nombre de broches: 3
- Température de fonctionnement max..: 150°C
- Polarité transistor: NPN
- Type de boîtier de transistor: TO-92
Quick Comparison
Settings | 2N4401 40V Transistor NPN remove | FGH40N60SFD IGBT Canal-N 80A 600V remove | C5707 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 A remove | PNP -30 V -100 mA remove | TIP142 10A 100V Darlington Transistor NPN remove | IRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V remove |
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Image | ||||||
SKU | C05A157 | C05A194 | C05A188 | C05A068 | C05A153 | C05A189 |
Rating | ||||||
Price | 1.50د.م. | 50.00د.م. | 6.00د.م. | 3.50د.م. | 6.00د.م. | 6.00د.م. |
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Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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Description | 2N4401 40V Transistor NPN |
| NPN, 50 V, 8A | 5xTransistor bipolaire PNP -30 V -100 mA, TO-92, 3 broches | Amps: 10 | Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V |
Content |
| Caractéristiques:
| Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 50V | Petit signal PNP, jusqu'à 100 mAPetit signal PNPLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P. | Maximum Ratings: | Courant de drain Id: 11A |
Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
Additional information |