BC548A, NPN 30V 100mA

SKU: C05A122
In Stock
2.00د.م.
In Stock
Ajouter à la liste de souhaits
Ajouter à la liste de souhaits
Ajouter à la liste de souhaits
Ajouter à la liste de souhaits
Compare
SKU: C05A122 Categories: ,

Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA

Quick Comparison

SettingsBC548A, NPN 30V 100mA remove1.2A 600V Mosfet - Transistor MOSFET Canal-N removeBC547A, NPN 45V 100mA removeTIP142 10A 100V Darlington Transistor NPN remove17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 removeTIP122 5A 100V Transistor NPN remove
ImageTransistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mATransistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600VBC547A, NPN 45V 100mATIP142 10A 100V Darlington Transistor NPN17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3TIP122 5A 100V Transistor NPN
SKUC05A122C05A071C05A065C05A153C05A190C05A154
Rating
Price2.00د.م.74.50د.م.1.00د.م.6.00د.م.25.00د.م.5.00د.م.
Stock
In Stock
In Stock
In Stock
In Stock
In Stock
In Stock
AvailabilityIn StockIn StockIn StockIn StockIn StockIn Stock
Add to cart

Ajouter au panier

Ajouter au panier

Ajouter au panier

Ajouter au panier

Ajouter au panier

Ajouter au panier

Description

Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA

5xTransistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600V

Ce produit est vendu par packet de 5 unités.

BC547A, NPN 45V 100mA

Amps: 10
Voltage: 100
Package: TO-218
Nombre de terminaux: 3

MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3

TIP122 5A 100V  Transistor NPN

Content

Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 A

 

MOSFET - Canal N

Le transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
Une tension sur l'électrode grille isolée par un oxyde peut créer un canal de conduction entre les deux autres contacts appelés Source et Drain. Le canal peut être de type N ou de type P.

Petit signal NPN, 100 mA, 40 → 45 V

 

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Maximum Ratings:
Collector-base voltage (IE = 0): 100V
Collector-emitter voltage (IB = 0): 100V
Emitter-base voltage (IC = 0): 5.0V
Collector current: 10A
Collector peak current: 20A
Base current: 0.5A

Applications: Linear and Switching Industrial Equipment

Courant de drain Id: 17A
Dissipation de puissance Pd: 227W
Tension Vds max..: 800V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.25ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal N
Tension, mesure Rds: 10V
Tension de seuil Vgs: 3V
Type de boîtier de transistor: TO-220

Package / Case TO-220
Current Rating 5A
Voltage Rated 100V
Transistor Type NPN

Weight000000
DimensionsNDNDNDNDNDND
Additional information
Select the fields to be shown. Others will be hidden. Drag and drop to rearrange the order.
  • Image
  • SKU
  • Rating
  • Price
  • Stock
  • Availability
  • Add to cart
  • Description
  • Content
  • Weight
  • Dimensions
  • Additional information
  • Attributes
  • Custom attributes
  • Custom fields
Click outside to hide the comparison bar
Compare