BC548A, NPN 30V 100mA
Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA
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Settings | BC548A, NPN 30V 100mA remove | 1.2A 600V Mosfet - Transistor MOSFET Canal-N remove | BC547A, NPN 45V 100mA remove | TIP142 10A 100V Darlington Transistor NPN remove | 17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 remove | TIP122 5A 100V Transistor NPN remove |
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SKU | C05A122 | C05A071 | C05A065 | C05A153 | C05A190 | C05A154 |
Rating | ||||||
Price | 2.00د.م. | 74.50د.م. | 1.00د.م. | 6.00د.م. | 25.00د.م. | 5.00د.م. |
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Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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Description | Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA | 5xTransistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600V Ce produit est vendu par packet de 5 unités. | BC547A, NPN 45V 100mA | Amps: 10 | MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 | TIP122 5A 100V Transistor NPN |
Content | Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 AMOSFET - Canal NLe transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. | Petit signal NPN, 100 mA, 40 → 45 VPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | Maximum Ratings: | Courant de drain Id: 17A | Package / Case TO-220 | |
Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
Additional information |