2SC3320 500V 15A Transistor NPN

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  • NPN Transistor;
  • Courant: 15A;
  • Tension: 500V

Description

Caractéristiques:

  • Nom du produit: Silicon NPN Transistor;
  • No. de modèle: 2SC3320;
  • Courant: 15A;
  • Tension: 500V

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Image2SC3320 500V 15A Transistor NPNC5707 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 AIRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 VD1535 Transistor NPNTransistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mATransistor, Fairchild, BC559BTA
SKUC05A265C05A188C05A189C05A143C05A122C05A068
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Description
  • NPN Transistor;
  • Courant: 15A;
  • Tension: 500V

NPN, 50 V, 8A

Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V

D1535 Transistor NPN

Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA

5xTransistor bipolaire  PNP -30 V -100 mA, TO-92, 3 broches

ContentCaractéristiques:
  • Nom du produit: Silicon NPN Transistor;
  • No. de modèle: 2SC3320;
  • Courant: 15A;
  • Tension: 500V

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 50V
Courant de collecteur DC: 8A
Gain en courant DC hFE: 200
Dissipation de puissance Pd: 15W
Fréquence de transition ft: 330MHz
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-251

Courant de drain Id: 11A
Dissipation de puissance Pd: 38W
Tension Vds max..: 55V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.175ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal P
Tension, mesure Rds: -10V
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Tension de seuil Vgs: -4V
Type de boîtier de transistor: TO-251AA

Petit signal PNP, jusqu'à 100 mA

 

Petit signal PNP

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

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