2SC3858 – Transistor NPN 200V 17A MT-200, 3 broches

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Image2SC3858 - Transistor NPN 200V 17A MT-200, 3 brochesTransistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mAPNP -40V -200mA2N4403 40V Transistor PNP2N3904 TRANSISTOR NPN TO-92Transistor MOSFETCanal-N, 0.5A dc 60V dc
SKUC05A348C05A122C05A067C05A158C05A151C05A070
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Description

Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA

Transistor bipolaire, 2N3906, PNP -40 V -200 mA,  TO-92, 3 broches

2N4403 40V  Transistor PNP
  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
  • Courant de collecteur DC: 200mA

5xTransistor MOSFETCanal-N, 0.5A dc 60V dc

Ce produit est vendu par packet de 5 unités.

Content

Petit signal PNP, 150 → 400 mA

 

Petit signal PNP

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
  • Courant de collecteur DC: 600mA
  • Nombre de broches: 3
  • Type de boîtier de transistor: TO-92

Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 A

MOSFET - Canal N

Le transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
Une tension sur l'électrode grille isolée par un oxyde peut créer un canal de conduction entre les deux autres contacts appelés Source et Drain. Le canal peut être de type N ou de type P.

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