2SC3858 – Transistor NPN 200V 17A MT-200, 3 broches
Quick Comparison
Settings | 2SC3858 - Transistor NPN 200V 17A MT-200, 3 broches remove | BC548A, NPN 30V 100mA remove | 2N3906, PNP -40 V -200 mA remove | 2N4403 Transistor PNP 40V 0.6A remove | 2N3904 TRANSISTOR NPN TO-92 remove | 0.5A dc 60V dc Mosfet - Transistor MOSFET Canal-N remove |
---|---|---|---|---|---|---|
Image | ||||||
SKU | C05A348 | C05A122 | C05A067 | C05A158 | C05A151 | C05A070 |
Rating | ||||||
Price | 35.00د.م. | 2.00د.م. | 1.00د.م. | 1.50د.م. | 2.00د.م. | 8.50د.م. |
Stock | In Stock
| In Stock
| In Stock
| In Stock
| In Stock
| In Stock
|
Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
Add to cart | ||||||
Description | Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA | Transistor bipolaire, 2N3906, PNP -40 V -200 mA, TO-92, 3 broches | 2N4403 40V Transistor PNP |
| 5xTransistor MOSFETCanal-N, 0.5A dc 60V dc Ce produit est vendu par packet de 5 unités. | |
Content | Petit signal PNP, 150 → 400 mAPetit signal PNPLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P. |
| Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 AMOSFET - Canal NLe transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. | |||
Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
Additional information |