2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w

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2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w

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Image2sc 5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200wIR2110 Driver de mosfet DIP-14BC547A, NPN 45V 100mANPN 40V 1A, Amplificateur de puissanceD1535 Transistor NPNFGH40N60SFD Transistor simple IGBT, General Purpose, 80 A, 600 V
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Description

2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w

Driver MOSFET DIP-14

BC547A, NPN 45V 100mA

Transistor bipolaire, PN2222ATFR, NPN 40 V 1 A

D1535 Transistor NPN

  • FGH40N60SFDTU Transistor IGBT Canal-N 80A 600V
Content

Petit signal NPN, 100 mA, 40 → 45 V

 

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Caractéristiques:
  • Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on): 600V
  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 600V
  • Courant de collecteur DC: 80A
  • Dissipation de puissance Pd: 349W
  • Nombre de broches: 3
  • Type de boîtier de transistor: TO-247AB
Weight000000
DimensionsNDNDNDNDNDND
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