2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w
2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w
Quick Comparison
Settings | 2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w remove | IR2110 Driver Mosfet DIP-14 remove | BC547A, NPN 45V 100mA remove | 2N2222, NPN 40 V 1 A remove | D1535 Transistor NPN remove | FGH40N60SFD IGBT Canal-N 80A 600V remove |
---|---|---|---|---|---|---|
Image | ||||||
SKU | C05A145 | C05A107 | C05A065 | C05A063 | C05A143 | C05A194 |
Rating | ||||||
Price | 25.00د.م. | 25.00د.م. | 1.00د.م. | 1.00د.م. | 20.00د.م. | 50.00د.م. |
Stock | In Stock
| In Stock
| In Stock
| In Stock
| In Stock
| In Stock
|
Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
Add to cart | ||||||
Description | 2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w | Driver MOSFET DIP-14 | BC547A, NPN 45V 100mA | Transistor bipolaire, PN2222ATFR, NPN 40 V 1 A | D1535 Transistor NPN |
|
Content | Petit signal NPN, 100 mA, 40 → 45 VPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | Caractéristiques:
| ||||
Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
Additional information |