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0.5A dc 60V dc Mosfet – Transistor MOSFET Canal-N
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5xTransistor MOSFETCanal-N, 0.5A dc 60V dc
Ce produit est vendu par packet de 5 unités.
Description
Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 A
MOSFET – Canal N
Le transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
Une tension sur l’électrode grille isolée par un oxyde peut créer un canal de conduction entre les deux autres contacts appelés Source et Drain. Le canal peut être de type N ou de type P.
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Settings | 0.5A dc 60V dc Mosfet - Transistor MOSFET Canal-N remove | PNP -30 V -100 mA remove | BD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A remove | 2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w remove | D1795 Transistor NPN 10A remove | G15N60 - Transistor IGBT 15A 600V remove |
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Image | ||||||
SKU | C05A070 | C05A068 | C05A191 | C05A145 | C05A144 | C05A177 |
Rating | ||||||
Price | 8.50د.م. | 3.50د.م. | 7.00د.م. | 25.00د.م. | 20.00د.م. | 30.00د.م. |
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Description | 5xTransistor MOSFETCanal-N, 0.5A dc 60V dc Ce produit est vendu par packet de 5 unités. | 5xTransistor bipolaire PNP -30 V -100 mA, TO-92, 3 broches | NPN, 60 V, 40 W, 4 A | 2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w | D1795 Transistor NPN 10A | Applications: AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls. |
Content | Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 AMOSFET - Canal NLe transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. | Petit signal PNP, jusqu'à 100 mAPetit signal PNPLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P. | Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V | |||
Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
Additional information |