0.5A dc 60V dc Mosfet – Transistor MOSFET Canal-N

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5xTransistor MOSFETCanal-N, 0.5A dc 60V dc

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Description

Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 A

MOSFET – Canal N

Le transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
Une tension sur l’électrode grille isolée par un oxyde peut créer un canal de conduction entre les deux autres contacts appelés Source et Drain. Le canal peut être de type N ou de type P.

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ImageTransistor MOSFETCanal-N, 0.5A dc 60V dcTransistor, Fairchild, BC559BTABD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A2sc 5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200wD1795 Transistor NPN 10AG15N60 - Transistor IGBT 15A 600V
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Description

5xTransistor MOSFETCanal-N, 0.5A dc 60V dc

Ce produit est vendu par packet de 5 unités.

5xTransistor bipolaire  PNP -30 V -100 mA, TO-92, 3 broches

NPN, 60 V, 40 W, 4 A

2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w

D1795 Transistor NPN 10A

Applications:

AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.

Content

Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 A

MOSFET - Canal N

Le transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
Une tension sur l'électrode grille isolée par un oxyde peut créer un canal de conduction entre les deux autres contacts appelés Source et Drain. Le canal peut être de type N ou de type P.

Petit signal PNP, jusqu'à 100 mA

 

Petit signal PNP

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V
Courant de collecteur DC: 4A
Gain en courant DC hFE: 750
Dissipation de puissance Pd: 40W
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-126

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DimensionsNDNDNDNDNDND
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