APM4953 4953 Dual P-channel MOSFET -30V -4.9A SMD SOP-8

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ImageTransistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600VTransistor MOSFETCanal-N, 0.5A dc 60V dcIR2110 Driver de mosfet DIP-14G15N60 - Transistor IGBT 15A 600VBD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A
SKUC05A481C05A071C05A070C05A107C05A177C05A191
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Description
  • Vdss = - 30V
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5xTransistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600V

Ce produit est vendu par packet de 5 unités.

5xTransistor MOSFETCanal-N, 0.5A dc 60V dc

Ce produit est vendu par packet de 5 unités.

Driver MOSFET DIP-14

Applications:

AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.

NPN, 60 V, 40 W, 4 A

Content

Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 A

 

MOSFET - Canal N

Le transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
Une tension sur l'électrode grille isolée par un oxyde peut créer un canal de conduction entre les deux autres contacts appelés Source et Drain. Le canal peut être de type N ou de type P.

Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 A

MOSFET - Canal N

Le transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
Une tension sur l'électrode grille isolée par un oxyde peut créer un canal de conduction entre les deux autres contacts appelés Source et Drain. Le canal peut être de type N ou de type P.

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V
Courant de collecteur DC: 4A
Gain en courant DC hFE: 750
Dissipation de puissance Pd: 40W
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-126

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DimensionsNDNDNDNDNDND
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