APM4953 4953 Dual P-channel MOSFET -30V -4.9A SMD SOP-8

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  • Id = – 4.9A
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SettingsAPM4953 4953 Dual P-channel MOSFET -30V -4.9A SMD SOP-8 removeC5707 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 A removeD1535 Transistor NPN removeBC547A, NPN 45V 100mA removePNP -30 V -100 mA removeIRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V remove
ImageC5707 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 AD1535 Transistor NPNBC547A, NPN 45V 100mATransistor, Fairchild, BC559BTAIRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V
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Description
  • Vdss = - 30V
  • Id = - 4.9A
  • SOIC 8 pin package

NPN, 50 V, 8A

D1535 Transistor NPN

BC547A, NPN 45V 100mA

5xTransistor bipolaire  PNP -30 V -100 mA, TO-92, 3 broches

Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V

Content

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 50V
Courant de collecteur DC: 8A
Gain en courant DC hFE: 200
Dissipation de puissance Pd: 15W
Fréquence de transition ft: 330MHz
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-251

Petit signal NPN, 100 mA, 40 → 45 V

 

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Petit signal PNP, jusqu'à 100 mA

 

Petit signal PNP

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Courant de drain Id: 11A
Dissipation de puissance Pd: 38W
Tension Vds max..: 55V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.175ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal P
Tension, mesure Rds: -10V
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Tension de seuil Vgs: -4V
Type de boîtier de transistor: TO-251AA

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