IRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V

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Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V

Description

Courant de drain Id: 11A
Dissipation de puissance Pd: 38W
Tension Vds max..: 55V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.175ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal P
Tension, mesure Rds: -10V
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Tension de seuil Vgs: -4V
Type de boîtier de transistor: TO-251AA

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SettingsIRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V removeTIP122 5A 100V Transistor NPN removeFGH40N60SFD IGBT Canal-N 80A 600V remove2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w removeC5707 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 A remove2N4401 40V Transistor NPN remove
ImageIRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 VTIP122 5A 100V Transistor NPNFGH40N60SFD Transistor simple IGBT, General Purpose, 80 A, 600 V2sc 5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200wC5707 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 A2N4401 40V Transistor NPN
SKUC05A189C05A154C05A194C05A145C05A188C05A157
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Description

Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V

TIP122 5A 100V  Transistor NPN

  • FGH40N60SFDTU Transistor IGBT Canal-N 80A 600V

2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w

NPN, 50 V, 8A

2N4401 40V  Transistor NPN

Content

Courant de drain Id: 11A
Dissipation de puissance Pd: 38W
Tension Vds max..: 55V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.175ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal P
Tension, mesure Rds: -10V
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Tension de seuil Vgs: -4V
Type de boîtier de transistor: TO-251AA

Package / Case TO-220
Current Rating 5A
Voltage Rated 100V
Transistor Type NPN

Caractéristiques:
  • Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on): 600V
  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 600V
  • Courant de collecteur DC: 80A
  • Dissipation de puissance Pd: 349W
  • Nombre de broches: 3
  • Type de boîtier de transistor: TO-247AB

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 50V
Courant de collecteur DC: 8A
Gain en courant DC hFE: 200
Dissipation de puissance Pd: 15W
Fréquence de transition ft: 330MHz
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-251

  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
  • Courant de collecteur DC: 600mA
  • Nombre de broches: 3
  • Température de fonctionnement max..: 150°C
  • Polarité transistor: NPN
  • Type de boîtier de transistor: TO-92
Weight000000
DimensionsNDNDNDNDNDND
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