IRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V

Courant de drain Id: 11A
Dissipation de puissance Pd: 38W
Tension Vds max..: 55V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.175ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal P
Tension, mesure Rds: -10V
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Tension de seuil Vgs: -4V
Type de boîtier de transistor: TO-251AA

Package / Case TO-220
Current Rating 5A
Voltage Rated 100V
Transistor Type NPN

• Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on): 600V
• Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 600V
• Courant de collecteur DC: 80A
• Dissipation de puissance Pd: 349W
• Nombre de broches: 3
• Type de boîtier de transistor: TO-247AB

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 50V
Courant de collecteur DC: 8A
Gain en courant DC hFE: 200
Dissipation de puissance Pd: 15W
Fréquence de transition ft: 330MHz
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-251

• Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
• Courant de collecteur DC: 600mA
• Nombre de broches: 3
• Température de fonctionnement max..: 150°C
• Polarité transistor: NPN
• Type de boîtier de transistor: TO-92