IRFI9530G, Transistor MOSFET – Canal P 100V 7.7 A – TO-220-3

SKU: C05A240
In Stock
30.00د.م.
In Stock
Ajouter à la liste de souhaits
Ajouter à la liste de souhaits
Ajouter à la liste de souhaits
Ajouter à la liste de souhaits
Compare
SKU: C05A240 Categories: ,

Transistor MOS-FET – Canal P – IRFI9530G

Description

Déscriptif:

  • Catégorie du produit:     MOSFET
  • Package/Boîte:     TO-220-3
  • Nombre de canaux:     1 Channel
  • Polarité du transistor:     P-Channel
  • Vds – Tension de rupture drain-source:     – 100 V
  • Id – Courant continu de fuite:     7.7 A
  • Rds On – Résistance drain-source:     300 mOhms
  • Vgs – Tension grille-source:     20 V
  • Température de fonctionnement max.:     + 175 C
  • Configuration:     Single
  • Temps de descente:     39 ns
  • Température de fonctionnement min.:     – 55 C
  • Pd – Dissipation d’énergie :     42 W
  • Temps de montée:     52 ns
  • Nombre de pièces de l’usine:     1000
  • Type de transistor:     1 P-Channel

Quick Comparison

SettingsIRFI9530G, Transistor MOSFET - Canal P 100V 7.7 A - TO-220-3 removeG15N60 - Transistor IGBT 15A 600V removeIR2110 Driver Mosfet DIP-14 remove2N3906, PNP -40 V -200 mA removeBC337-40,NPN 45V 800mA remove17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 remove
ImageIRFI9530G, Transistor MOSFET - Canal P 100V 7.7 A - TO-220-3G15N60 - Transistor IGBT 15A 600VIR2110 Driver de mosfet DIP-14PNP -40V -200mABC337-40, NPN 45V 800mA17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3
SKUC05A240C05A177C05A107C05A067C05A062C05A190
Rating
Price30.00د.م.30.00د.م.25.00د.م.1.00د.م.1.00د.م.25.00د.م.
Stock
In Stock
In Stock
In Stock
In Stock
In Stock
In Stock
AvailabilityIn StockIn StockIn StockIn StockIn StockIn Stock
Add to cart

Ajouter au panier

Ajouter au panier

Ajouter au panier

Ajouter au panier

Ajouter au panier

Ajouter au panier

DescriptionTransistor MOS-FET - Canal P - IRFI9530G

Applications:

AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.

Driver MOSFET DIP-14

Transistor bipolaire, 2N3906, PNP -40 V -200 mA,  TO-92, 3 broches

Transistor bipolaire, BC337-40, NPN 45V 800mA

MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3

ContentDéscriptif:
  • Catégorie du produit:     MOSFET
  • Package/Boîte:     TO-220-3
  • Nombre de canaux:     1 Channel
  • Polarité du transistor:     P-Channel
  • Vds - Tension de rupture drain-source:     - 100 V
  • Id - Courant continu de fuite:     7.7 A
  • Rds On - Résistance drain-source:     300 mOhms
  • Vgs - Tension grille-source:     20 V
  • Température de fonctionnement max.:     + 175 C
  • Configuration:     Single
  • Temps de descente:     39 ns
  • Température de fonctionnement min.:     - 55 C
  • Pd - Dissipation d’énergie :     42 W
  • Temps de montée:     52 ns
  • Nombre de pièces de l'usine:     1000
  • Type de transistor:     1 P-Channel

Petit signal PNP, 150 → 400 mA

 

Petit signal PNP

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Petits signaux NPN, 600 → 800 mA

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Courant de drain Id: 17A
Dissipation de puissance Pd: 227W
Tension Vds max..: 800V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.25ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal N
Tension, mesure Rds: 10V
Tension de seuil Vgs: 3V
Type de boîtier de transistor: TO-220

Weight000000
DimensionsNDNDNDNDNDND
Additional information
Select the fields to be shown. Others will be hidden. Drag and drop to rearrange the order.
  • Image
  • SKU
  • Rating
  • Price
  • Stock
  • Availability
  • Add to cart
  • Description
  • Content
  • Weight
  • Dimensions
  • Additional information
  • Attributes
  • Custom attributes
  • Custom fields
Click outside to hide the comparison bar
Compare