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IRFI9530G, Transistor MOSFET – Canal P 100V 7.7 A – TO-220-3
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Transistor MOS-FET – Canal P – IRFI9530G
Description
Déscriptif:
- Catégorie du produit: MOSFET
- Package/Boîte: TO-220-3
- Nombre de canaux: 1 Channel
- Polarité du transistor: P-Channel
- Vds – Tension de rupture drain-source: – 100 V
- Id – Courant continu de fuite: 7.7 A
- Rds On – Résistance drain-source: 300 mOhms
- Vgs – Tension grille-source: 20 V
- Température de fonctionnement max.: + 175 C
- Configuration: Single
- Temps de descente: 39 ns
- Température de fonctionnement min.: – 55 C
- Pd – Dissipation d’énergie : 42 W
- Temps de montée: 52 ns
- Nombre de pièces de l’usine: 1000
- Type de transistor: 1 P-Channel
Quick Comparison
Settings | IRFI9530G, Transistor MOSFET - Canal P 100V 7.7 A - TO-220-3 remove | G15N60 - Transistor IGBT 15A 600V remove | IR2110 Driver Mosfet DIP-14 remove | 2N3906, PNP -40 V -200 mA remove | BC337-40,NPN 45V 800mA remove | 17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 remove |
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Image | ||||||
SKU | C05A240 | C05A177 | C05A107 | C05A067 | C05A062 | C05A190 |
Rating | ||||||
Price | 30.00د.م. | 30.00د.م. | 25.00د.م. | 1.00د.م. | 1.00د.م. | 25.00د.م. |
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Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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Description | Transistor MOS-FET - Canal P - IRFI9530G | Applications: AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls. | Driver MOSFET DIP-14 | Transistor bipolaire, 2N3906, PNP -40 V -200 mA, TO-92, 3 broches | Transistor bipolaire, BC337-40, NPN 45V 800mA | MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 |
Content | Déscriptif:
| Petit signal PNP, 150 → 400 mAPetit signal PNPLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P. | Petits signaux NPN, 600 → 800 mAPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | Courant de drain Id: 17A | ||
Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
Additional information |