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2N6052 Transistor simple Darlington, PNP, 100 V, 12 A, TO-204, 2 broches
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Transistor simple Darlington, PNP, 100 V, 12 A, TO-204, 2 broches
Description
Caractéristiques:
- Configuration Simple
- Courant continu de Collecteur maximum 12 A
- Courant de coupure Collecteur maximum 1mA
- Dimensions 39.37 x 26.67 x 8.51mm
- Dissipation de puissance maximum 150 W
- Gain en courant DC minimum 100
- Hauteur 8.51mm
- Largeur 26.67mm
- Longueur 39.37mm
- Nombre d’éléments par circuit 1
- Nombre de broche 2
- Température d’utilisation maximum +200 °C
- Température de fonctionnement minimum -65 °C
- Tension Collecteur Base maximum 100 V
- Tension Collecteur Emetteur maximum 100 V
- Tension de saturation Base Emetteur maximum 4 V
- Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 3 V
- Tension Emetteur Base maximum 5 V
- Type de boîtier TO-204
- Type de montage Traversant
- Type de transistor PNP
Quick Comparison
| Settings | 2N6052 Transistor simple Darlington, PNP, 100 V, 12 A, TO-204, 2 broches remove | 2N3904 TRANSISTOR NPN TO-92 remove | BC337-40,NPN 45V 800mA remove | BC338-16, NPN 25V 800mA remove | 2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w remove | 2N4403 Transistor PNP 40V 0.6A remove |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Image |  |  |  |  |  |  |
| SKU | C05A204 | C05A151 | C05A062 | C05A061 | C05A145 | C05A158 |
| Rating | ||||||
| Price | 45.00د.م. | 2.00د.م. | 1.00د.م. | 1.00د.م. | 25.00د.م. | 1.50د.م. |
| Stock | In Stock
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| Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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| Description | Transistor simple Darlington, PNP, 100 V, 12 A, TO-204, 2 broches |
| Transistor bipolaire, BC337-40, NPN 45V 800mA | Transistor bipolaire, BC338-16, NPN 25V 800mA | 2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w | 2N4403 40V Transistor PNP |
| Content | Caractéristiques:
| Petits signaux NPN, 600 → 800 mAPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | Petits signaux NPN, 600 → 800 mAPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. |
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| Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
| Additional information |
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