D1795 Transistor NPN 10A
D1795 Transistor NPN 10A
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Settings | D1795 Transistor NPN 10A remove | 17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 remove | BD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A remove | BC338-16, NPN 25V 800mA remove | 1.2A 600V Mosfet - Transistor MOSFET Canal-N remove | IRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V remove |
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SKU | C05A144 | C05A190 | C05A191 | C05A061 | C05A071 | C05A189 |
Rating | ||||||
Price | 20.00د.م. | 25.00د.م. | 7.00د.م. | 1.00د.م. | 74.50د.م. | 6.00د.م. |
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Description | D1795 Transistor NPN 10A | MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 | NPN, 60 V, 40 W, 4 A | Transistor bipolaire, BC338-16, NPN 25V 800mA | 5xTransistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600V Ce produit est vendu par packet de 5 unités. | Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V |
Content | Courant de drain Id: 17A | Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V | Petits signaux NPN, 600 → 800 mAPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 AMOSFET - Canal NLe transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. | Courant de drain Id: 11A | |
Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
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