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MJL21194G Transistor, NPN, 250 V, 16 A, TO-3BPL, 3 broches
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- Courant continu de Collecteur maximum 16 A
- Tension Collecteur Emetteur maximum 250 V
- Tension Collecteur Base maximum 400 V
Description
Caractéristiques techniques:
- Type de transistor NPN
- Courant continu de Collecteur maximum 16 A
- Tension Collecteur Emetteur maximum 250 V
- Type de boîtier TO-3BPL
- Type de montage Traversant
- Dissipation de puissance maximum 200 W
- Gain en courant DC minimum 8
- Configuration du transistor Simple
- Tension Collecteur Base maximum 400 V
- Tension Emetteur Base maximum 5 V
- Fréquence de fonctionnement maximum 1 MHz
- Nombre de broche 3
- Nombre d’éléments par circuit 1
- Dimensions 20.3 x 5.3 x 29mm
- Longueur 20.3mm
- Largeur 5.3mm
- Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 4 V
- Hauteur 29mm
Quick Comparison
| Settings | MJL21194G Transistor, NPN, 250 V, 16 A, TO-3BPL, 3 broches remove | TIP122 5A 100V Transistor NPN remove | IR2110 Driver Mosfet DIP-14 remove | NPN,BC546 remove | BD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A remove | BC548A, NPN 30V 100mA remove |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Image | |  |  |  |  |  |
| SKU | C05A336 | C05A154 | C05A107 | C05A064 | C05A191 | C05A122 |
| Rating | ||||||
| Price | 30.00د.م. | 5.00د.م. | 25.00د.م. | 2.00د.م. | 7.00د.م. | 2.00د.م. |
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| Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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| Description |
| TIP122 5A 100V Transistor NPN | Driver MOSFET DIP-14 | 5xTransistor bipolaire NPN, BC546 | NPN, 60 V, 40 W, 4 A | Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA |
| Content | Caractéristiques techniques:
| Package / Case TO-220 | Petit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V | ||
| Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
| Additional information |
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