BC547A, NPN 45V 100mA

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BC547A, NPN 45V 100mA

Description

Petit signal NPN, 100 mA, 40 → 45 V

 

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu’à 1 000 mA, et l’alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

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SettingsBC547A, NPN 45V 100mA remove2N2222, NPN 40 V 1 A removeBC548A, NPN 30V 100mA removeD1795 Transistor NPN 10A removeBC337-40,NPN 45V 800mA remove2N4403 Transistor PNP 40V 0.6A remove
ImageBC547A, NPN 45V 100mANPN 40V 1A, Amplificateur de puissanceTransistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mAD1795 Transistor NPN 10ABC337-40, NPN 45V 800mA2N4403 40V Transistor PNP
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Description

BC547A, NPN 45V 100mA

Transistor bipolaire, PN2222ATFR, NPN 40 V 1 A

Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA

D1795 Transistor NPN 10A

Transistor bipolaire, BC337-40, NPN 45V 800mA

2N4403 40V  Transistor PNP
Content

Petit signal NPN, 100 mA, 40 → 45 V

 

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Petits signaux NPN, 600 → 800 mA

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
  • Courant de collecteur DC: 600mA
  • Nombre de broches: 3
  • Type de boîtier de transistor: TO-92
Weight000000
DimensionsNDNDNDNDNDND
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