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FGH40N60SFD IGBT Canal-N 80A 600V
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- FGH40N60SFDTU Transistor IGBT Canal-N 80A 600V
Description
Caractéristiques:
- Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on): 600V
- Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 600V
- Courant de collecteur DC: 80A
- Dissipation de puissance Pd: 349W
- Nombre de broches: 3
- Type de boîtier de transistor: TO-247AB
Quick Comparison
| Settings | FGH40N60SFD IGBT Canal-N 80A 600V remove | BC337-40,NPN 45V 800mA remove | BC548A, NPN 30V 100mA remove | 2N3904 TRANSISTOR NPN TO-92 remove | 2N4403 Transistor PNP 40V 0.6A remove | IRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V remove |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Image | |  |  |  |  |  |
| SKU | C05A194 | C05A062 | C05A122 | C05A151 | C05A158 | C05A189 |
| Rating | ||||||
| Price | 50.00د.م. | 1.00د.م. | 2.00د.م. | 2.00د.م. | 1.50د.م. | 6.00د.م. |
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|
| Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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| Description |
| Transistor bipolaire, BC337-40, NPN 45V 800mA | Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA |
| 2N4403 40V Transistor PNP | Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V |
| Content | Caractéristiques:
| Petits signaux NPN, 600 → 800 mAPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. |
| Courant de drain Id: 11A | ||
| Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
| Additional information |
