FGH40N60SFD IGBT Canal-N 80A 600V

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  • FGH40N60SFDTU Transistor IGBT Canal-N 80A 600V

Description

Caractéristiques:

  • Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on): 600V
  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 600V
  • Courant de collecteur DC: 80A
  • Dissipation de puissance Pd: 349W
  • Nombre de broches: 3
  • Type de boîtier de transistor: TO-247AB

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SettingsFGH40N60SFD IGBT Canal-N 80A 600V removeBC337-40,NPN 45V 800mA removeBC548A, NPN 30V 100mA remove2N3904 TRANSISTOR NPN TO-92 remove2N4403 Transistor PNP 40V 0.6A removeIRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V remove
ImageFGH40N60SFD Transistor simple IGBT, General Purpose, 80 A, 600 VBC337-40, NPN 45V 800mATransistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA2N3904 TRANSISTOR NPN TO-922N4403 40V Transistor PNPIRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V
SKUC05A194C05A062C05A122C05A151C05A158C05A189
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Description
  • FGH40N60SFDTU Transistor IGBT Canal-N 80A 600V

Transistor bipolaire, BC337-40, NPN 45V 800mA

Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA

  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
  • Courant de collecteur DC: 200mA
2N4403 40V  Transistor PNP

Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V

ContentCaractéristiques:
  • Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on): 600V
  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 600V
  • Courant de collecteur DC: 80A
  • Dissipation de puissance Pd: 349W
  • Nombre de broches: 3
  • Type de boîtier de transistor: TO-247AB

Petits signaux NPN, 600 → 800 mA

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
  • Courant de collecteur DC: 600mA
  • Nombre de broches: 3
  • Type de boîtier de transistor: TO-92

Courant de drain Id: 11A
Dissipation de puissance Pd: 38W
Tension Vds max..: 55V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.175ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal P
Tension, mesure Rds: -10V
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Tension de seuil Vgs: -4V
Type de boîtier de transistor: TO-251AA

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