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TIP147T 10A 100V Darlington Transistor PNP TO-220
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TIP147T 10A 100V Darlington Transistor PNP TO-220
Description
Caractéristiques techniques:
- Type de transistor PNP
- Courant continu de Collecteur maximum 10 A
- Tension Collecteur Emetteur maximum 100 V
- Tension Emetteur Base maximum 5 V
- Type de boîtier A-220
- Type de montage Traversant
- Nombre de broche 3
- Configuration Simple
- Nombre d’éléments par circuit 1
- Gain en courant DC minimum 500
- Tension Collecteur Base maximum 100 V
- Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 3 V
- Courant de coupure Collecteur maximum 1mA
- Dimensions 10.4 x 4.6 x 9.15mm
- Longueur 10.4mm
- Largeur 4.6mm
- Température de fonctionnement minimum -65 °C
- Hauteur 9.15mm
- Température d’utilisation maximum +150 °C
Quick Comparison
| Settings | TIP147T 10A 100V Darlington Transistor PNP TO-220 remove | PNP -30 V -100 mA remove | 2N2222, NPN 40 V 1 A remove | IRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V remove | Module IGBT QM20td-h304 remove | 2N3906, PNP -40 V -200 mA remove |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Image | |  |  |  |  |  |
| SKU | C05A221 | C05A068 | C05A063 | C05A189 | C05A175 | C05A067 |
| Rating | ||||||
| Price | 6.00د.م. | 3.50د.م. | 1.00د.م. | 6.00د.م. | 350.00د.م. | 1.00د.م. |
| Stock | In Stock
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|
| Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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| Description | TIP147T 10A 100V Darlington Transistor PNP TO-220 | 5xTransistor bipolaire PNP -30 V -100 mA, TO-92, 3 broches | Transistor bipolaire, PN2222ATFR, NPN 40 V 1 A | Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V |
| Transistor bipolaire, 2N3906, PNP -40 V -200 mA, TO-92, 3 broches |
| Content | Caractéristiques techniques:
| Petit signal PNP, jusqu'à 100 mAPetit signal PNPLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P. | Courant de drain Id: 11A | Petit signal PNP, 150 → 400 mAPetit signal PNPLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P. | ||
| Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
| Additional information |
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