TIP147T 10A 100V Darlington Transistor PNP TO-220

SKU: C05A221
In Stock
6.00د.م.
In Stock
Ajouter à la liste de souhaits
Ajouter à la liste de souhaits
Ajouter à la liste de souhaits
Ajouter à la liste de souhaits
Compare
SKU: C05A221 Categories: , , ,

TIP147T 10A 100V Darlington Transistor PNP TO-220

Description

Caractéristiques techniques:

  • Type de transistor    PNP
  • Courant continu de Collecteur maximum    10 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum    100 V
  • Tension Emetteur Base maximum    5 V
  • Type de boîtier    A-220
  • Type de montage    Traversant
  • Nombre de broche    3
  • Configuration    Simple
  • Nombre d’éléments par circuit    1
  • Gain en courant DC minimum    500
  • Tension Collecteur Base maximum    100 V
  • Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum    3 V
  • Courant de coupure Collecteur maximum    1mA
  • Dimensions    10.4 x 4.6 x 9.15mm
  • Longueur    10.4mm
  • Largeur    4.6mm
  • Température de fonctionnement minimum    -65 °C
  • Hauteur    9.15mm
  • Température d’utilisation maximum    +150 °C

Quick Comparison

SettingsTIP147T 10A 100V Darlington Transistor PNP TO-220 removePNP -30 V -100 mA remove2N2222, NPN 40 V 1 A removeIRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V removeModule IGBT QM20td-h304 remove2N3906, PNP -40 V -200 mA remove
ImageTIP147T 10A 100V Darlington Transistor PNP TO-220Transistor, Fairchild, BC559BTANPN 40V 1A, Amplificateur de puissanceIRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 VPNP -40V -200mA
SKUC05A221C05A068C05A063C05A189C05A175C05A067
Rating
Price6.00د.م.3.50د.م.1.00د.م.6.00د.م.350.00د.م.1.00د.م.
Stock
In Stock
In Stock
In Stock
In Stock
In Stock
In Stock
AvailabilityIn StockIn StockIn StockIn StockIn StockIn Stock
Add to cart

Ajouter au panier

Ajouter au panier

Ajouter au panier

Ajouter au panier

Ajouter au panier

Ajouter au panier

Description

TIP147T 10A 100V Darlington Transistor PNP TO-220

5xTransistor bipolaire  PNP -30 V -100 mA, TO-92, 3 broches

Transistor bipolaire, PN2222ATFR, NPN 40 V 1 A

Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V

  • MITSUBISHI
  • IC Collector current 20A
  • VCEX Collector-emitter voltage 600V

Transistor bipolaire, 2N3906, PNP -40 V -200 mA,  TO-92, 3 broches

Content

Caractéristiques techniques:

  • Type de transistor    PNP
  • Courant continu de Collecteur maximum    10 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum    100 V
  • Tension Emetteur Base maximum    5 V
  • Type de boîtier    A-220
  • Type de montage    Traversant
  • Nombre de broche    3
  • Configuration    Simple
  • Nombre d'éléments par circuit    1
  • Gain en courant DC minimum    500
  • Tension Collecteur Base maximum    100 V
  • Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum    3 V
  • Courant de coupure Collecteur maximum    1mA
  • Dimensions    10.4 x 4.6 x 9.15mm
  • Longueur    10.4mm
  • Largeur    4.6mm
  • Température de fonctionnement minimum    -65 °C
  • Hauteur    9.15mm
  • Température d'utilisation maximum    +150 °C

Petit signal PNP, jusqu'à 100 mA

 

Petit signal PNP

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Courant de drain Id: 11A
Dissipation de puissance Pd: 38W
Tension Vds max..: 55V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.175ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal P
Tension, mesure Rds: -10V
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Tension de seuil Vgs: -4V
Type de boîtier de transistor: TO-251AA

Petit signal PNP, 150 → 400 mA

 

Petit signal PNP

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Weight000000
DimensionsNDNDNDNDNDND
Additional information
Select the fields to be shown. Others will be hidden. Drag and drop to rearrange the order.
  • Image
  • SKU
  • Rating
  • Price
  • Stock
  • Availability
  • Add to cart
  • Description
  • Content
  • Weight
  • Dimensions
  • Additional information
  • Attributes
  • Custom attributes
  • Custom fields
Click outside to hide the comparison bar
Compare