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FGH40N60SFD IGBT Canal-N 80A 600V
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- FGH40N60SFDTU Transistor IGBT Canal-N 80A 600V
Description
Caractéristiques:
- Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on): 600V
- Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 600V
- Courant de collecteur DC: 80A
- Dissipation de puissance Pd: 349W
- Nombre de broches: 3
- Type de boîtier de transistor: TO-247AB