TIP122 5A 100V Transistor NPN

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TIP122 5A 100V  Transistor NPN

Description

Package / Case TO-220
Current Rating 5A
Voltage Rated 100V
Transistor Type NPN

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SettingsTIP122 5A 100V Transistor NPN removeBC337-40,NPN 45V 800mA removeIRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V remove17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 remove2N4403 Transistor PNP 40V 0.6A removeG15N60 - Transistor IGBT 15A 600V remove
ImageTIP122 5A 100V Transistor NPNBC337-40, NPN 45V 800mAIRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-32N4403 40V Transistor PNPG15N60 - Transistor IGBT 15A 600V
SKUC05A154C05A062C05A189C05A190C05A158C05A177
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Description

TIP122 5A 100V  Transistor NPN

Transistor bipolaire, BC337-40, NPN 45V 800mA

Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V

MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3

2N4403 40V  Transistor PNP

Applications:

AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.

Content

Package / Case TO-220
Current Rating 5A
Voltage Rated 100V
Transistor Type NPN

Petits signaux NPN, 600 → 800 mA

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Courant de drain Id: 11A
Dissipation de puissance Pd: 38W
Tension Vds max..: 55V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.175ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal P
Tension, mesure Rds: -10V
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Tension de seuil Vgs: -4V
Type de boîtier de transistor: TO-251AA

Courant de drain Id: 17A
Dissipation de puissance Pd: 227W
Tension Vds max..: 800V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.25ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal N
Tension, mesure Rds: 10V
Tension de seuil Vgs: 3V
Type de boîtier de transistor: TO-220

  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
  • Courant de collecteur DC: 600mA
  • Nombre de broches: 3
  • Type de boîtier de transistor: TO-92
Weight000000
DimensionsNDNDNDNDNDND
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