FQP50N06, Transistor MOSFET, Canal-N, 50 A 60 V TO-220

Description

Caractéristiques techniques:

• Type de canal    N
• Courant continu de Drain maximum    50 A
• Tension Drain Source maximum    60 V
• Résistance Drain Source maximum    0,022 Ω
• Tension de seuil maximale de la grille    4V
• Tension de seuil minimale de la grille    2V
• Tension Grille Source maximum    ±25 V
• Type de boîtier    TO-220AB
• Type de montage    Traversant
• Nombre de broche    3
• Catégorie    MOSFET de puissance
• Dissipation de puissance maximum    120 W