IRF540N, Transistor MOSFET, Canal-N, 33 A 100 V TO-262, 3 broches

• Type de canal    N
• Courant continu de Drain maximum    33 A
• Tension Drain Source maximum    100 V
• Type de boîtier    TO-220AB
• Mode canal    Enrichissement
• Catégorie    MOSFET de puissance

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 50V
Courant de collecteur DC: 8A
Gain en courant DC hFE: 200
Dissipation de puissance Pd: 15W
Fréquence de transition ft: 330MHz
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-251

• Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
• Courant de collecteur DC: 600mA
• Nombre de broches: 3
• Température de fonctionnement max..: 150°C
• Polarité transistor: NPN
• Type de boîtier de transistor: TO-92

Courant de drain Id: 11A
Dissipation de puissance Pd: 38W
Tension Vds max..: 55V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.175ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal P
Tension, mesure Rds: -10V
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Tension de seuil Vgs: -4V
Type de boîtier de transistor: TO-251AA