BD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A

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NPN, 60 V, 40 W, 4 A

Description

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V
Courant de collecteur DC: 4A
Gain en courant DC hFE: 750
Dissipation de puissance Pd: 40W
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-126

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ImageBD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 ATIP122 5A 100V Transistor NPNC5707 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 AG15N60 - Transistor IGBT 15A 600VTransistor bipolaire NPN, BC546D1795 Transistor NPN 10A
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Description

NPN, 60 V, 40 W, 4 A

TIP122 5A 100V  Transistor NPN

NPN, 50 V, 8A

Applications:

AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.

5xTransistor bipolaire NPN, BC546

D1795 Transistor NPN 10A

Content

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V
Courant de collecteur DC: 4A
Gain en courant DC hFE: 750
Dissipation de puissance Pd: 40W
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-126

Package / Case TO-220
Current Rating 5A
Voltage Rated 100V
Transistor Type NPN

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 50V
Courant de collecteur DC: 8A
Gain en courant DC hFE: 200
Dissipation de puissance Pd: 15W
Fréquence de transition ft: 330MHz
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-251

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

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