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IRF3205, Transistor MOSFET, Canal-N, 110 A 55 V TO-220AB, 3 broches
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Description
Caractéristiques techniques:
- Type de canal N
- Courant continu de Drain maximum 110 A
- Type de boîtier TO-220AB
- Type de montage Traversant
- Nombre de broche 3
- Catégorie MOSFET de puissance
Quick Comparison
| Settings | IRF3205, Transistor MOSFET, Canal-N, 110 A 55 V TO-220AB, 3 broches remove | TIP142 10A 100V Darlington Transistor NPN remove | TIP122 5A 100V Transistor NPN remove | BD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A remove | BC547A, NPN 45V 100mA remove | 2N2222, NPN 40 V 1 A remove |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Image | |  |  |  |  |  |
| SKU | C05A256 | C05A153 | C05A154 | C05A191 | C05A065 | C05A063 |
| Rating | ||||||
| Price | 20.00د.م. | 6.00د.م. | 5.00د.م. | 7.00د.م. | 1.00د.م. | 1.00د.م. |
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| Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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| Description | Amps: 10 | TIP122 5A 100V Transistor NPN | NPN, 60 V, 40 W, 4 A | BC547A, NPN 45V 100mA | Transistor bipolaire, PN2222ATFR, NPN 40 V 1 A | |
| Content | Caractéristiques techniques:
| Maximum Ratings: | Package / Case TO-220 | Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V | Petit signal NPN, 100 mA, 40 → 45 VPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | |
| Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
| Additional information |
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