FQPF8N60, Transistor MOSFET, Canal-N, 7,5 A 600 V TO-220F, 3 broches

SKU: C05A260
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FQPF8N60, FQPF8N60C

Description

Caractéristiques techniques:

  • Type de canal    N
  • Courant continu de Drain maximum    7,5 A
  • Tension Drain Source maximum    600 V
  • Résistance Drain Source maximum    1,2 Ω
  • Tension Grille Source maximum    ±30 V
  • Type de boîtier    TO-220F
  • Type de montage    Traversant
  • Nombre de broche    3
  • Mode canal    Enrichissement
  • Catégorie    MOSFET de puissance
  • Dissipation de puissance maximum    48 W
  • Configuration    Simple
  • Hauteur    9.19mm
  • Retard au blocage typique    81 ns
  • Température de fonctionnement minimum    -55 °C
  • Charge de Grille type @ Vgs    28 nC V @ 10
  • Retard à la conduction typique    16,5 ns
  • Nombre d’éléments par circuit    1
  • Largeur    4.7mm
  • Dimensions    10.16 x 4.7 x 9.19mm
  • Température d’utilisation maximum    +150 °C
  • Capacitance d’entrée typique @ Vds    965 pF V @ 25
  • Longueur    10.16mm
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