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FQPF8N60, Transistor MOSFET, Canal-N, 7,5 A 600 V TO-220F, 3 broches
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FQPF8N60, FQPF8N60C
Description
Caractéristiques techniques:
- Type de canal N
- Courant continu de Drain maximum 7,5 A
- Tension Drain Source maximum 600 V
- Résistance Drain Source maximum 1,2 Ω
- Tension Grille Source maximum ±30 V
- Type de boîtier TO-220F
- Type de montage Traversant
- Nombre de broche 3
- Mode canal Enrichissement
- Catégorie MOSFET de puissance
- Dissipation de puissance maximum 48 W
- Configuration Simple
- Hauteur 9.19mm
- Retard au blocage typique 81 ns
- Température de fonctionnement minimum -55 °C
- Charge de Grille type @ Vgs 28 nC V @ 10
- Retard à la conduction typique 16,5 ns
- Nombre d’éléments par circuit 1
- Largeur 4.7mm
- Dimensions 10.16 x 4.7 x 9.19mm
- Température d’utilisation maximum +150 °C
- Capacitance d’entrée typique @ Vds 965 pF V @ 25
- Longueur 10.16mm
Quick Comparison
| Settings | FQPF8N60, Transistor MOSFET, Canal-N, 7,5 A 600 V TO-220F, 3 broches remove | BC548A, NPN 30V 100mA remove | PNP -30 V -100 mA remove | 2N2222, NPN 40 V 1 A remove | TIP142 10A 100V Darlington Transistor NPN remove | 2N3906, PNP -40 V -200 mA remove |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Image | |  |  |  |  |  |
| SKU | C05A260 | C05A122 | C05A068 | C05A063 | C05A153 | C05A067 |
| Rating | ||||||
| Price | 13.00د.م. | 2.00د.م. | 3.50د.م. | 1.00د.م. | 6.00د.م. | 1.00د.م. |
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| Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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| Description | FQPF8N60, FQPF8N60C | Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA | 5xTransistor bipolaire PNP -30 V -100 mA, TO-92, 3 broches | Transistor bipolaire, PN2222ATFR, NPN 40 V 1 A | Amps: 10 | Transistor bipolaire, 2N3906, PNP -40 V -200 mA, TO-92, 3 broches |
| Content | Caractéristiques techniques:
| Petit signal PNP, jusqu'à 100 mAPetit signal PNPLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P. | Maximum Ratings: | Petit signal PNP, 150 → 400 mAPetit signal PNPLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P. | ||
| Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
| Additional information |
