IRFB4310ZPBF MOSFET Canal-N 127A 100V TO-220

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IRFB4310Z MOSFET Canal-N 127A 100V

Description

Caractéristiques:

  • Type de canal     N
  • Courant continu de Drain maximum     127A
  • Tension Drain Source maximum     100V
  • Résistance Drain Source maximum     6 mΩ
  • Tension de seuil maximale de la grille     4V
  • Tension de seuil minimale de la grille     2V
  • Tension Grille Source maximum     -20 V, +20 V
  • Type de boîtier     TO-220AB
  • Type de montage     Traversant
  • Nombre de broche     3
  • Configuration du transistor     Simple
  • Catégorie     MOSFET de puissance
  • Dissipation de puissance maximum     250 W

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SettingsIRFB4310ZPBF MOSFET Canal-N 127A 100V TO-220 removeBD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A removeC5707 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 A remove1.2A 600V Mosfet - Transistor MOSFET Canal-N remove2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w removeG15N60 - Transistor IGBT 15A 600V remove
ImageIRFB4310ZPBF MOSFET Canal-N 127A 100V TO-220BD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 AC5707 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 ATransistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600V2sc 5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200wG15N60 - Transistor IGBT 15A 600V
SKUC05A439C05A191C05A188C05A071C05A145C05A177
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Description

IRFB4310Z MOSFET Canal-N 127A 100V

NPN, 60 V, 40 W, 4 A

NPN, 50 V, 8A

5xTransistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600V

Ce produit est vendu par packet de 5 unités.

2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w

Applications:

AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.

Content

Caractéristiques:

  • Type de canal     N
  • Courant continu de Drain maximum     127A
  • Tension Drain Source maximum     100V
  • Résistance Drain Source maximum     6 mΩ
  • Tension de seuil maximale de la grille     4V
  • Tension de seuil minimale de la grille     2V
  • Tension Grille Source maximum     -20 V, +20 V
  • Type de boîtier     TO-220AB
  • Type de montage     Traversant
  • Nombre de broche     3
  • Configuration du transistor     Simple
  • Catégorie     MOSFET de puissance
  • Dissipation de puissance maximum     250 W

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V
Courant de collecteur DC: 4A
Gain en courant DC hFE: 750
Dissipation de puissance Pd: 40W
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-126

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 50V
Courant de collecteur DC: 8A
Gain en courant DC hFE: 200
Dissipation de puissance Pd: 15W
Fréquence de transition ft: 330MHz
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-251

Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 A

 

MOSFET - Canal N

Le transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
Une tension sur l'électrode grille isolée par un oxyde peut créer un canal de conduction entre les deux autres contacts appelés Source et Drain. Le canal peut être de type N ou de type P.

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