BC639 1A 100V Transistor NPN TO-92

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Description

Caractéristiques techniques:

  • Type de transistor    NPN
  • Courant continu de Collecteur maximum    1 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum    100 V
  • Type de boîtier    TO-92
  • Type de montage    Traversant
  • Dissipation de puissance maximum    830 mW
  • Gain en courant DC minimum    100
  • Configuration    Simple
  • Tension Collecteur Base maximum    30 V
  • Tension Emetteur Base maximum    5 V
  • Fréquence de fonctionnement maximum    50 MHz
  • Nombre de broche    3
  • Nombre d’éléments par circuit    1
  • Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum    0,5 V
  • Dimensions    5.2 x 4.19 x 5.33mm
  • Température d’utilisation maximum    +150 °C
  • Hauteur    5.33mm
  • Température de fonctionnement minimum    -55 °C
  • Largeur    4.19mm
  • Longueur    5.2mm

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SettingsBC639 1A 100V Transistor NPN TO-92 removeIR2110 Driver Mosfet DIP-14 removeIRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V remove2N3904 TRANSISTOR NPN TO-92 removeNPN,BC546 removePNP -30 V -100 mA remove
ImageBC639 1A 100V Transistor NPN TO-92IR2110 Driver de mosfet DIP-14IRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V2N3904 TRANSISTOR NPN TO-92Transistor bipolaire NPN, BC546Transistor, Fairchild, BC559BTA
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Description

Driver MOSFET DIP-14

Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V

  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
  • Courant de collecteur DC: 200mA

5xTransistor bipolaire NPN, BC546

5xTransistor bipolaire  PNP -30 V -100 mA, TO-92, 3 broches

Content

Caractéristiques techniques:

  • Type de transistor    NPN
  • Courant continu de Collecteur maximum    1 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum    100 V
  • Type de boîtier    TO-92
  • Type de montage    Traversant
  • Dissipation de puissance maximum    830 mW
  • Gain en courant DC minimum    100
  • Configuration    Simple
  • Tension Collecteur Base maximum    30 V
  • Tension Emetteur Base maximum    5 V
  • Fréquence de fonctionnement maximum    50 MHz
  • Nombre de broche    3
  • Nombre d'éléments par circuit    1
  • Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum    0,5 V
  • Dimensions    5.2 x 4.19 x 5.33mm
  • Température d'utilisation maximum    +150 °C
  • Hauteur    5.33mm
  • Température de fonctionnement minimum    -55 °C
  • Largeur    4.19mm
  • Longueur    5.2mm

Courant de drain Id: 11A
Dissipation de puissance Pd: 38W
Tension Vds max..: 55V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.175ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal P
Tension, mesure Rds: -10V
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Tension de seuil Vgs: -4V
Type de boîtier de transistor: TO-251AA

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Petit signal PNP, jusqu'à 100 mA

 

Petit signal PNP

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

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