No products in the cart.
BC639 1A 100V Transistor NPN TO-92
In Stock
2.00د.م.
In Stock
Ajouter à la liste de souhaits
CompareAjouter à la liste de souhaits
Description
Caractéristiques techniques:
- Type de transistor NPN
- Courant continu de Collecteur maximum 1 A
- Tension Collecteur Emetteur maximum 100 V
- Type de boîtier TO-92
- Type de montage Traversant
- Dissipation de puissance maximum 830 mW
- Gain en courant DC minimum 100
- Configuration Simple
- Tension Collecteur Base maximum 30 V
- Tension Emetteur Base maximum 5 V
- Fréquence de fonctionnement maximum 50 MHz
- Nombre de broche 3
- Nombre d’éléments par circuit 1
- Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 0,5 V
- Dimensions 5.2 x 4.19 x 5.33mm
- Température d’utilisation maximum +150 °C
- Hauteur 5.33mm
- Température de fonctionnement minimum -55 °C
- Largeur 4.19mm
- Longueur 5.2mm
Quick Comparison
| Settings | BC639 1A 100V Transistor NPN TO-92 remove | IR2110 Driver Mosfet DIP-14 remove | IRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V remove | 2N3904 TRANSISTOR NPN TO-92 remove | NPN,BC546 remove | PNP -30 V -100 mA remove |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Image | |  |  |  |  |  |
| SKU | C05A222 | C05A107 | C05A189 | C05A151 | C05A064 | C05A068 |
| Rating | ||||||
| Price | 2.00د.م. | 25.00د.م. | 6.00د.م. | 2.00د.م. | 2.00د.م. | 3.50د.م. |
| Stock | In Stock
| In Stock
| In Stock
| In Stock
| In Stock
| In Stock
|
| Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
| Add to cart | ||||||
| Description | Driver MOSFET DIP-14 | Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V |
| 5xTransistor bipolaire NPN, BC546 | 5xTransistor bipolaire PNP -30 V -100 mA, TO-92, 3 broches | |
| Content | Caractéristiques techniques:
| Courant de drain Id: 11A | Petit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | Petit signal PNP, jusqu'à 100 mAPetit signal PNPLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P. | ||
| Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
| Additional information |
