BD681 Transistor Darlington, NPN 4 A, 100 V, SOT-32, 3 broches

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NPN 4 A, 100 V

Description

Caractéristiques techniques:

  • Configuration    Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum    4 A
  • Courant de coupure Collecteur maximum    0.2mA
  • Dimensions    7.8 x 2.7 x 10.8mm
  • Gain en courant DC minimum    750
  • Hauteur    10.8mm
  • Largeur    2.7mm
  • Longueur    7.8mm
  • Nombre d’éléments par circuit    1
  • Nombre de broche    3
  • Température d’utilisation maximum    +150 °C
  • Température de fonctionnement minimum    -65 °C
  • Tension Collecteur Base maximum    100 V
  • Tension Collecteur Emetteur maximum    100 V
  • Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum    2,5 V
  • Tension Emetteur Base maximum    5 V
  • Type de boîtier    SOT-32
  • Type de montage    Traversant
  • Type de transistor    NPN

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SettingsBD681 Transistor Darlington, NPN 4 A, 100 V, SOT-32, 3 broches remove2N2222, NPN 40 V 1 A remove0.5A dc 60V dc Mosfet - Transistor MOSFET Canal-N removeIRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V removeTIP142 10A 100V Darlington Transistor NPN removeBC548A, NPN 30V 100mA remove
ImageBD681 Transistor Darlington, NPN 4 A, 100 V, SOT-32, 3 brochesNPN 40V 1A, Amplificateur de puissanceTransistor MOSFETCanal-N, 0.5A dc 60V dcIRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 VTIP142 10A 100V Darlington Transistor NPNTransistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA
SKUC05A208C05A063C05A070C05A189C05A153C05A122
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Description

NPN 4 A, 100 V

Transistor bipolaire, PN2222ATFR, NPN 40 V 1 A

5xTransistor MOSFETCanal-N, 0.5A dc 60V dc

Ce produit est vendu par packet de 5 unités.

Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V

Amps: 10
Voltage: 100
Package: TO-218
Nombre de terminaux: 3

Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA

Content

Caractéristiques techniques:

  • Configuration    Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum    4 A
  • Courant de coupure Collecteur maximum    0.2mA
  • Dimensions    7.8 x 2.7 x 10.8mm
  • Gain en courant DC minimum    750
  • Hauteur    10.8mm
  • Largeur    2.7mm
  • Longueur    7.8mm
  • Nombre d'éléments par circuit    1
  • Nombre de broche    3
  • Température d'utilisation maximum    +150 °C
  • Température de fonctionnement minimum    -65 °C
  • Tension Collecteur Base maximum    100 V
  • Tension Collecteur Emetteur maximum    100 V
  • Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum    2,5 V
  • Tension Emetteur Base maximum    5 V
  • Type de boîtier    SOT-32
  • Type de montage    Traversant
  • Type de transistor    NPN

Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 A

MOSFET - Canal N

Le transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
Une tension sur l'électrode grille isolée par un oxyde peut créer un canal de conduction entre les deux autres contacts appelés Source et Drain. Le canal peut être de type N ou de type P.

Courant de drain Id: 11A
Dissipation de puissance Pd: 38W
Tension Vds max..: 55V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.175ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal P
Tension, mesure Rds: -10V
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Tension de seuil Vgs: -4V
Type de boîtier de transistor: TO-251AA

Maximum Ratings:
Collector-base voltage (IE = 0): 100V
Collector-emitter voltage (IB = 0): 100V
Emitter-base voltage (IC = 0): 5.0V
Collector current: 10A
Collector peak current: 20A
Base current: 0.5A

Applications: Linear and Switching Industrial Equipment

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DimensionsNDNDNDNDNDND
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