FQP50N06, Transistor MOSFET, Canal-N, 50 A 60 V TO-220

Caractéristiques techniques:

• Type de canal    N
• Courant continu de Drain maximum    50 A
• Tension Drain Source maximum    60 V
• Résistance Drain Source maximum    0,022 Ω
• Tension de seuil maximale de la grille    4V
• Tension de seuil minimale de la grille    2V
• Tension Grille Source maximum    ±25 V
• Type de boîtier    TO-220AB
• Type de montage    Traversant
• Nombre de broche    3
• Catégorie    MOSFET de puissance
• Dissipation de puissance maximum    120 W

Maximum Ratings:
Collector-base voltage (IE = 0): 100V
Collector-emitter voltage (IB = 0): 100V
Emitter-base voltage (IC = 0): 5.0V
Collector current: 10A
Collector peak current: 20A
Base current: 0.5A

Applications: Linear and Switching Industrial Equipment