IRFP260N Transistor MOSFET Canal-N 50A 200V TO-247AC, 3 broches

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Description

  • Type de canal    N
  • Courant continu de Drain maximum    50 A
  • Tension Drain Source maximum    200 V
  • Résistance Drain Source maximum    0,04 Ω
  • Tension de seuil maximale de la grille    4V
  • Tension de seuil minimale de la grille    2V
  • Tension Grille Source maximum    ±20 V
  • Type de boîtier    TO-247AC
  • Type de montage    Traversant
  • Nombre de broche    3
  • Catégorie    MOSFET de puissance
  • Dissipation de puissance maximum    300000 mW

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ImageIRFP260, Transistor MOSFET, Canal-N, 50 A 200 V TO-247AC, 3 brochesIRFP22N50APBF, Transistor MOSFET - Canal-N, 22 A 500 V TO-247AC, 3 brochesIRFI9530G, Transistor MOSFET - Canal P 100V 7.7 A - TO-220-3FQP50N06, Transistor MOSFET, Canal-N, 50 A 60 V TO-220AB, 3 brochesTransistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600V17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3
SKUC05A257C05A246C05A240C05A258C05A071C05A190
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DescriptionTransistor MOS-FET - Canal P - IRFI9530G

Canal-N, 50 A 60 V

5xTransistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600V

Ce produit est vendu par packet de 5 unités.

MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3

Content
  • Type de canal    N
  • Courant continu de Drain maximum    50 A
  • Tension Drain Source maximum    200 V
  • Résistance Drain Source maximum    0,04 Ω
  • Tension de seuil maximale de la grille    4V
  • Tension de seuil minimale de la grille    2V
  • Tension Grille Source maximum    ±20 V
  • Type de boîtier    TO-247AC
  • Type de montage    Traversant
  • Nombre de broche    3
  • Catégorie    MOSFET de puissance
  • Dissipation de puissance maximum    300000 mW

Caractéristiques techniques

  • Type de canal    N
  • Courant continu de Drain maximum    22 A
  • Tension Drain Source maximum    500 V
  • Résistance Drain Source maximum    0,23 Ω
  • Tension de seuil minimale de la grille    2V
  • Tension Grille Source maximum    ±30 V
  • Type de boîtier    TO-247AC
  • Type de montage    Traversant
  • Nombre de broche    3
  • Mode canal    Enrichissement
  • Catégorie    MOSFET de puissance
  • Dissipation de puissance maximum    277 W
  • Configuration    Simple
  • Dimensions    15.87 x 5.31 x 20.7mm
  • Longueur    15.87mm
  • Capacitance d'entrée typique @ Vds    3450 pF @ 25 V
  • Retard au blocage typique    47 ns
  • Température d'utilisation maximum    +150 °C
  • Hauteur    20.7mm
  • Charge de Grille type @ Vgs    120 nC @ 10 V
  • Température de fonctionnement minimum    -55 °C
  • Retard à la conduction typique    26 ns
  • Nombre d'éléments par circuit    1
  • Largeur    5.31mm
Déscriptif:
  • Catégorie du produit:     MOSFET
  • Package/Boîte:     TO-220-3
  • Nombre de canaux:     1 Channel
  • Polarité du transistor:     P-Channel
  • Vds - Tension de rupture drain-source:     - 100 V
  • Id - Courant continu de fuite:     7.7 A
  • Rds On - Résistance drain-source:     300 mOhms
  • Vgs - Tension grille-source:     20 V
  • Température de fonctionnement max.:     + 175 C
  • Configuration:     Single
  • Temps de descente:     39 ns
  • Température de fonctionnement min.:     - 55 C
  • Pd - Dissipation d’énergie :     42 W
  • Temps de montée:     52 ns
  • Nombre de pièces de l'usine:     1000
  • Type de transistor:     1 P-Channel

Caractéristiques techniques:

  • Type de canal    N
  • Courant continu de Drain maximum    50 A
  • Tension Drain Source maximum    60 V
  • Résistance Drain Source maximum    0,022 Ω
  • Tension de seuil maximale de la grille    4V
  • Tension de seuil minimale de la grille    2V
  • Tension Grille Source maximum    ±25 V
  • Type de boîtier    TO-220AB
  • Type de montage    Traversant
  • Nombre de broche    3
  • Catégorie    MOSFET de puissance
  • Dissipation de puissance maximum    120 W

Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 A

 

MOSFET - Canal N

Le transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
Une tension sur l'électrode grille isolée par un oxyde peut créer un canal de conduction entre les deux autres contacts appelés Source et Drain. Le canal peut être de type N ou de type P.

Courant de drain Id: 17A
Dissipation de puissance Pd: 227W
Tension Vds max..: 800V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.25ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal N
Tension, mesure Rds: 10V
Tension de seuil Vgs: 3V
Type de boîtier de transistor: TO-220

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DimensionsNDNDNDNDNDND
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