IRFP260N Transistor MOSFET Canal-N 50A 200V TO-247AC, 3 broches

• Type de canal    N
• Courant continu de Drain maximum    50 A
• Tension Drain Source maximum    200 V
• Résistance Drain Source maximum    0,04 Ω
• Tension de seuil maximale de la grille    4V
• Tension de seuil minimale de la grille    2V
• Tension Grille Source maximum    ±20 V
• Type de boîtier    TO-247AC
• Type de montage    Traversant
• Nombre de broche    3
• Catégorie    MOSFET de puissance
• Dissipation de puissance maximum    300000 mW

Caractéristiques techniques

• Type de canal    N
• Courant continu de Drain maximum    22 A
• Tension Drain Source maximum    500 V
• Résistance Drain Source maximum    0,23 Ω
• Tension de seuil minimale de la grille    2V
• Tension Grille Source maximum    ±30 V
• Type de boîtier    TO-247AC
• Type de montage    Traversant
• Nombre de broche    3
• Mode canal    Enrichissement
• Catégorie    MOSFET de puissance
• Dissipation de puissance maximum    277 W
• Configuration    Simple
• Dimensions    15.87 x 5.31 x 20.7mm
• Longueur    15.87mm
• Capacitance d'entrée typique @ Vds    3450 pF @ 25 V
• Retard au blocage typique    47 ns
• Température d'utilisation maximum    +150 °C
• Hauteur    20.7mm
• Charge de Grille type @ Vgs    120 nC @ 10 V
• Température de fonctionnement minimum    -55 °C
• Retard à la conduction typique    26 ns
• Nombre d'éléments par circuit    1
• Largeur    5.31mm

• Catégorie du produit:     MOSFET
• Package/Boîte:     TO-220-3
• Nombre de canaux:     1 Channel
• Polarité du transistor:     P-Channel
• Vds - Tension de rupture drain-source:     - 100 V
• Id - Courant continu de fuite:     7.7 A
• Rds On - Résistance drain-source:     300 mOhms
• Vgs - Tension grille-source:     20 V
• Température de fonctionnement max.:     + 175 C
• Configuration:     Single
• Temps de descente:     39 ns
• Température de fonctionnement min.:     - 55 C
• Pd - Dissipation d’énergie :     42 W
• Temps de montée:     52 ns
• Nombre de pièces de l'usine:     1000
• Type de transistor:     1 P-Channel

Caractéristiques techniques:

• Type de canal    N
• Courant continu de Drain maximum    50 A
• Tension Drain Source maximum    60 V
• Résistance Drain Source maximum    0,022 Ω
• Tension de seuil maximale de la grille    4V
• Tension de seuil minimale de la grille    2V
• Tension Grille Source maximum    ±25 V
• Type de boîtier    TO-220AB
• Type de montage    Traversant
• Nombre de broche    3
• Catégorie    MOSFET de puissance
• Dissipation de puissance maximum    120 W

Courant de drain Id: 17A
Dissipation de puissance Pd: 227W
Tension Vds max..: 800V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.25ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal N
Tension, mesure Rds: 10V
Tension de seuil Vgs: 3V
Type de boîtier de transistor: TO-220