2N7000, Transistor MOSFET, Canal-N, 200 mA 60 V TO-92
Description
Caractéristiques techniques:
- Type de canal N
- Courant continu de Drain maximum 200 mA
- Tension Drain Source maximum 60 V
- Résistance Drain Source maximum 5 Ω
- Tension de seuil maximale de la grille 3V
- Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
- Type de boîtier TO-92
- Type de montage Traversant
- Configuration du transistor Simple
- Nombre de broche 3
- Mode canal Enrichissement
- Catégorie Petit signaux
- Dissipation de puissance maximum 350 mW
Quick Comparison
Settings | 2N7000, Transistor MOSFET, Canal-N, 200 mA 60 V TO-92 remove | BC548A, NPN 30V 100mA remove | BC338-16, NPN 25V 800mA remove | 0.5A dc 60V dc Mosfet - Transistor MOSFET Canal-N remove | BD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A remove | 2N2222, NPN 40 V 1 A remove |
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SKU | C05A364 | C05A122 | C05A061 | C05A070 | C05A191 | C05A063 |
Rating | ||||||
Price | 1.50د.م. | 2.00د.م. | 1.00د.م. | 8.50د.م. | 7.00د.م. | 1.00د.م. |
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Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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Description | Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA | Transistor bipolaire, BC338-16, NPN 25V 800mA | 5xTransistor MOSFETCanal-N, 0.5A dc 60V dc Ce produit est vendu par packet de 5 unités. | NPN, 60 V, 40 W, 4 A | Transistor bipolaire, PN2222ATFR, NPN 40 V 1 A | |
Content | Caractéristiques techniques:
| Petits signaux NPN, 600 → 800 mAPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 AMOSFET - Canal NLe transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. | Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V | ||
Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
Additional information |