2N7000, Transistor MOSFET, Canal-N, 200 mA 60 V TO-92

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Description

Caractéristiques techniques:

  • Type de canal     N
  • Courant continu de Drain maximum     200 mA
  • Tension Drain Source maximum     60 V
  • Résistance Drain Source maximum     5 Ω
  • Tension de seuil maximale de la grille     3V
  • Tension Grille Source maximum     -20 V, +20 V
  • Type de boîtier     TO-92
  • Type de montage     Traversant
  • Configuration du transistor     Simple
  • Nombre de broche     3
  • Mode canal     Enrichissement
  • Catégorie     Petit signaux
  • Dissipation de puissance maximum     350 mW

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Settings2N7000, Transistor MOSFET, Canal-N, 200 mA 60 V TO-92 removeBC548A, NPN 30V 100mA removeBC338-16, NPN 25V 800mA remove0.5A dc 60V dc Mosfet - Transistor MOSFET Canal-N removeBD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A remove2N2222, NPN 40 V 1 A remove
Image2N7000, Transistor MOSFET, Canal-N, 200 mA 60 V TO-92Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mABC338-16, NPN 25V 800mATransistor MOSFETCanal-N, 0.5A dc 60V dcBD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 ANPN 40V 1A, Amplificateur de puissance
SKUC05A364C05A122C05A061C05A070C05A191C05A063
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Description

Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA

Transistor bipolaire, BC338-16, NPN 25V 800mA

5xTransistor MOSFETCanal-N, 0.5A dc 60V dc

Ce produit est vendu par packet de 5 unités.

NPN, 60 V, 40 W, 4 A

Transistor bipolaire, PN2222ATFR, NPN 40 V 1 A
Content

Caractéristiques techniques:

  • Type de canal     N
  • Courant continu de Drain maximum     200 mA
  • Tension Drain Source maximum     60 V
  • Résistance Drain Source maximum     5 Ω
  • Tension de seuil maximale de la grille     3V
  • Tension Grille Source maximum     -20 V, +20 V
  • Type de boîtier     TO-92
  • Type de montage     Traversant
  • Configuration du transistor     Simple
  • Nombre de broche     3
  • Mode canal     Enrichissement
  • Catégorie     Petit signaux
  • Dissipation de puissance maximum     350 mW

Petits signaux NPN, 600 → 800 mA

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 A

MOSFET - Canal N

Le transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
Une tension sur l'électrode grille isolée par un oxyde peut créer un canal de conduction entre les deux autres contacts appelés Source et Drain. Le canal peut être de type N ou de type P.

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V
Courant de collecteur DC: 4A
Gain en courant DC hFE: 750
Dissipation de puissance Pd: 40W
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-126

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DimensionsNDNDNDNDNDND
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