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IRFP22N50APBF, Transistor MOSFET – Canal-N, 22 A 500 V TO-247AC, 3 broches
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Description
Caractéristiques techniques
- Type de canal N
- Courant continu de Drain maximum 22 A
- Tension Drain Source maximum 500 V
- Résistance Drain Source maximum 0,23 Ω
- Tension de seuil minimale de la grille 2V
- Tension Grille Source maximum ±30 V
- Type de boîtier TO-247AC
- Type de montage Traversant
- Nombre de broche 3
- Mode canal Enrichissement
- Catégorie MOSFET de puissance
- Dissipation de puissance maximum 277 W
- Configuration Simple
- Dimensions 15.87 x 5.31 x 20.7mm
- Longueur 15.87mm
- Capacitance d’entrée typique @ Vds 3450 pF @ 25 V
- Retard au blocage typique 47 ns
- Température d’utilisation maximum +150 °C
- Hauteur 20.7mm
- Charge de Grille type @ Vgs 120 nC @ 10 V
- Température de fonctionnement minimum -55 °C
- Retard à la conduction typique 26 ns
- Nombre d’éléments par circuit 1
- Largeur 5.31mm
Quick Comparison
| Settings | IRFP22N50APBF, Transistor MOSFET - Canal-N, 22 A 500 V TO-247AC, 3 broches remove | BC547A, NPN 45V 100mA remove | 2N3906, PNP -40 V -200 mA remove | 2N2222, NPN 40 V 1 A remove | IR2110 Driver Mosfet DIP-14 remove | TIP142 10A 100V Darlington Transistor NPN remove |
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| Image | |  |  |  |  |  |
| SKU | C05A246 | C05A065 | C05A067 | C05A063 | C05A107 | C05A153 |
| Rating | ||||||
| Price | 50.00د.م. | 1.00د.م. | 1.00د.م. | 1.00د.م. | 25.00د.م. | 6.00د.م. |
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| Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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| Description | BC547A, NPN 45V 100mA | Transistor bipolaire, 2N3906, PNP -40 V -200 mA, TO-92, 3 broches | Transistor bipolaire, PN2222ATFR, NPN 40 V 1 A | Driver MOSFET DIP-14 | Amps: 10 | |
| Content | Caractéristiques techniques
| Petit signal NPN, 100 mA, 40 → 45 VPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | Petit signal PNP, 150 → 400 mAPetit signal PNPLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P. | Maximum Ratings: | ||
| Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
| Additional information |
