IRFP22N50APBF, Transistor MOSFET – Canal-N, 22 A 500 V TO-247AC, 3 broches

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Description

Caractéristiques techniques

  • Type de canal    N
  • Courant continu de Drain maximum    22 A
  • Tension Drain Source maximum    500 V
  • Résistance Drain Source maximum    0,23 Ω
  • Tension de seuil minimale de la grille    2V
  • Tension Grille Source maximum    ±30 V
  • Type de boîtier    TO-247AC
  • Type de montage    Traversant
  • Nombre de broche    3
  • Mode canal    Enrichissement
  • Catégorie    MOSFET de puissance
  • Dissipation de puissance maximum    277 W
  • Configuration    Simple
  • Dimensions    15.87 x 5.31 x 20.7mm
  • Longueur    15.87mm
  • Capacitance d’entrée typique @ Vds    3450 pF @ 25 V
  • Retard au blocage typique    47 ns
  • Température d’utilisation maximum    +150 °C
  • Hauteur    20.7mm
  • Charge de Grille type @ Vgs    120 nC @ 10 V
  • Température de fonctionnement minimum    -55 °C
  • Retard à la conduction typique    26 ns
  • Nombre d’éléments par circuit    1
  • Largeur    5.31mm

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SettingsIRFP22N50APBF, Transistor MOSFET - Canal-N, 22 A 500 V TO-247AC, 3 broches removeBC547A, NPN 45V 100mA remove2N3906, PNP -40 V -200 mA remove2N2222, NPN 40 V 1 A removeIR2110 Driver Mosfet DIP-14 removeTIP142 10A 100V Darlington Transistor NPN remove
ImageIRFP22N50APBF, Transistor MOSFET - Canal-N, 22 A 500 V TO-247AC, 3 brochesBC547A, NPN 45V 100mAPNP -40V -200mANPN 40V 1A, Amplificateur de puissanceIR2110 Driver de mosfet DIP-14TIP142 10A 100V Darlington Transistor NPN
SKUC05A246C05A065C05A067C05A063C05A107C05A153
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Description

BC547A, NPN 45V 100mA

Transistor bipolaire, 2N3906, PNP -40 V -200 mA,  TO-92, 3 broches

Transistor bipolaire, PN2222ATFR, NPN 40 V 1 A

Driver MOSFET DIP-14

Amps: 10
Voltage: 100
Package: TO-218
Nombre de terminaux: 3

Content

Caractéristiques techniques

  • Type de canal    N
  • Courant continu de Drain maximum    22 A
  • Tension Drain Source maximum    500 V
  • Résistance Drain Source maximum    0,23 Ω
  • Tension de seuil minimale de la grille    2V
  • Tension Grille Source maximum    ±30 V
  • Type de boîtier    TO-247AC
  • Type de montage    Traversant
  • Nombre de broche    3
  • Mode canal    Enrichissement
  • Catégorie    MOSFET de puissance
  • Dissipation de puissance maximum    277 W
  • Configuration    Simple
  • Dimensions    15.87 x 5.31 x 20.7mm
  • Longueur    15.87mm
  • Capacitance d'entrée typique @ Vds    3450 pF @ 25 V
  • Retard au blocage typique    47 ns
  • Température d'utilisation maximum    +150 °C
  • Hauteur    20.7mm
  • Charge de Grille type @ Vgs    120 nC @ 10 V
  • Température de fonctionnement minimum    -55 °C
  • Retard à la conduction typique    26 ns
  • Nombre d'éléments par circuit    1
  • Largeur    5.31mm

Petit signal NPN, 100 mA, 40 → 45 V

 

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Petit signal PNP, 150 → 400 mA

 

Petit signal PNP

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Maximum Ratings:
Collector-base voltage (IE = 0): 100V
Collector-emitter voltage (IB = 0): 100V
Emitter-base voltage (IC = 0): 5.0V
Collector current: 10A
Collector peak current: 20A
Base current: 0.5A

Applications: Linear and Switching Industrial Equipment

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DimensionsNDNDNDNDNDND
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