1.2A 600V Mosfet – Transistor MOSFET Canal-N

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5xTransistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600V

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Description

Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 A

 

MOSFET – Canal N

Le transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
Une tension sur l’électrode grille isolée par un oxyde peut créer un canal de conduction entre les deux autres contacts appelés Source et Drain. Le canal peut être de type N ou de type P.

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ImageTransistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600VD1795 Transistor NPN 10A2sc 5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200wIRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 VBD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A2N4403 40V Transistor PNP
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Description

5xTransistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600V

Ce produit est vendu par packet de 5 unités.

D1795 Transistor NPN 10A

2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w

Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V

NPN, 60 V, 40 W, 4 A

2N4403 40V  Transistor PNP
Content

Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 A

 

MOSFET - Canal N

Le transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
Une tension sur l'électrode grille isolée par un oxyde peut créer un canal de conduction entre les deux autres contacts appelés Source et Drain. Le canal peut être de type N ou de type P.

Courant de drain Id: 11A
Dissipation de puissance Pd: 38W
Tension Vds max..: 55V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.175ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal P
Tension, mesure Rds: -10V
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Tension de seuil Vgs: -4V
Type de boîtier de transistor: TO-251AA

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V
Courant de collecteur DC: 4A
Gain en courant DC hFE: 750
Dissipation de puissance Pd: 40W
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-126

  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
  • Courant de collecteur DC: 600mA
  • Nombre de broches: 3
  • Type de boîtier de transistor: TO-92
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DimensionsNDNDNDNDNDND
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