1.2A 600V Mosfet – Transistor MOSFET Canal-N

Name: 1.2A 600V Mosfet - Transistor MOSFET Canal-N
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SKU: C05A071 Categories: Transistor MOSFET, Transistors

5xTransistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600V

Ce produit est vendu par packet de 5 unités.

Description

Description

Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 A

MOSFET – Canal N

Le transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
Une tension sur l’électrode grille isolée par un oxyde peut créer un canal de conduction entre les deux autres contacts appelés Source et Drain. Le canal peut être de type N ou de type P.

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Settings	1.2A 600V Mosfet - Transistor MOSFET Canal-N remove	D1795 Transistor NPN 10A remove	2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w remove	IRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V remove	BD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A remove	2N4403 Transistor PNP 40V 0.6A remove
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SKU	C05A071	C05A144	C05A145	C05A189	C05A191	C05A158
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Price	74.50د.م.	20.00د.م.	25.00د.م.	6.00د.م.	7.00د.م.	1.50د.م.
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Description	5xTransistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600V Ce produit est vendu par packet de 5 unités.	D1795 Transistor NPN 10A	2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w	Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V	NPN, 60 V, 40 W, 4 A	2N4403 40V Transistor PNP
Content	Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 A MOSFET - Canal N Le transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. Une tension sur l'électrode grille isolée par un oxyde peut créer un canal de conduction entre les deux autres contacts appelés Source et Drain. Le canal peut être de type N ou de type P.			Courant de drain Id: 11A Dissipation de puissance Pd: 38W Tension Vds max..: 55V Nombre de broches: 3 Résistance Rds(on): 0.175ohm Température de fonctionnement max..: 150°C Polarité transistor: Canal P Tension, mesure Rds: -10V SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) Tension de seuil Vgs: -4V Type de boîtier de transistor: TO-251AA	Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V Courant de collecteur DC: 4A Gain en courant DC hFE: 750 Dissipation de puissance Pd: 40W Nombre de broches: 3 Température de fonctionnement max..: 150°C Polarité transistor: NPN Type de boîtier de transistor: TO-126	Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V Courant de collecteur DC: 600mA Nombre de broches: 3 Type de boîtier de transistor: TO-92
Weight	0	0	0	0	0	0
Dimensions	ND	ND	ND	ND	ND	ND
Additional information

FGH60N60SMD IGBT, Canal-N, 120 A 600 V A-247, 3 broches

FGH60N60SMD IGBT, Canal-N, 120 A 600 V A-247, 3 broches

1.2A 600V Mosfet – Transistor MOSFET Canal-N

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Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 A

MOSFET – Canal N

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Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 A

MOSFET - Canal N

1.2A 600V Mosfet – Transistor MOSFET Canal-N

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