ISO124U Amplificateur d’isolation SOP 8

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Isolateurs analogiques

Description

Caractéristiques techniques:

  • Type d’alimentation    Double
  • Tension d’alimentation symétrique typique    ±12 V, ±15 V, ±5 V, ±9 V
  • Nombre de canaux par circuit    1
  • Gain en tension maximum    0dB
  • Type de montage    CMS
  • Type de boîtier    SOP
  • Nombre de broche    8
  • Dimensions    2.3 x 17.9 x 7.5mm
  • Hauteur    2.3mm
  • Largeur    7.5mm
  • Longueur    17.9mm
  • Température de fonctionnement minimum    -25 °C
  • Température d’utilisation maximum    +85 °C

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SettingsISO124U Amplificateur d'isolation SOP 8 removeIRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V removeTIP142 10A 100V Darlington Transistor NPN removeG15N60 - Transistor IGBT 15A 600V removeBD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A remove2N3904 TRANSISTOR NPN TO-92 remove
ImageIRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 VTIP142 10A 100V Darlington Transistor NPNG15N60 - Transistor IGBT 15A 600VBD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A2N3904 TRANSISTOR NPN TO-92
SKUC05A313C05A189C05A153C05A177C05A191C05A151
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DescriptionIsolateurs analogiques

Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V

Amps: 10
Voltage: 100
Package: TO-218
Nombre de terminaux: 3

Applications:

AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.

NPN, 60 V, 40 W, 4 A

  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
  • Courant de collecteur DC: 200mA
ContentCaractéristiques techniques:
  • Type d'alimentation    Double
  • Tension d'alimentation symétrique typique    ±12 V, ±15 V, ±5 V, ±9 V
  • Nombre de canaux par circuit    1
  • Gain en tension maximum    0dB
  • Type de montage    CMS
  • Type de boîtier    SOP
  • Nombre de broche    8
  • Dimensions    2.3 x 17.9 x 7.5mm
  • Hauteur    2.3mm
  • Largeur    7.5mm
  • Longueur    17.9mm
  • Température de fonctionnement minimum    -25 °C
  • Température d'utilisation maximum    +85 °C

Courant de drain Id: 11A
Dissipation de puissance Pd: 38W
Tension Vds max..: 55V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.175ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal P
Tension, mesure Rds: -10V
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Tension de seuil Vgs: -4V
Type de boîtier de transistor: TO-251AA

Maximum Ratings:
Collector-base voltage (IE = 0): 100V
Collector-emitter voltage (IB = 0): 100V
Emitter-base voltage (IC = 0): 5.0V
Collector current: 10A
Collector peak current: 20A
Base current: 0.5A

Applications: Linear and Switching Industrial Equipment

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V
Courant de collecteur DC: 4A
Gain en courant DC hFE: 750
Dissipation de puissance Pd: 40W
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-126

Weight000000
DimensionsNDNDNDNDNDND
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