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MD1803DFX – High Voltage NPN Power Transistor
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- Courant – Collecteur (Ic) (max): 10A
- Tension – Collecteur-émetteur disruptif (Max): 700V
- Puissance – Max: 57W
Description
Caractéristiques:
- Catégorie: Discrete Semiconductor Products
- la famille: Transistors (BJT) – Single
- Transistor Type: NPN
- Courant – Collecteur (Ic) (max): 10A
- Tension – Collecteur-émetteur disruptif (Max): 700V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.25A, 5A
- Courant – Collecteur Cutoff (Max): 200µA
- Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5.5 @ 5A, 5V
- Puissance – Max: 57W
Quick Comparison
| Settings | MD1803DFX - High Voltage NPN Power Transistor remove | 2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w remove | 2N3906, PNP -40 V -200 mA remove | 17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 remove | BC337-40,NPN 45V 800mA remove | 2N4401 40V Transistor NPN remove |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Image | |  |  |  |  |  |
| SKU | C05A270 | C05A145 | C05A067 | C05A190 | C05A062 | C05A157 |
| Rating | ||||||
| Price | 8.00د.م. | 25.00د.م. | 1.00د.م. | 25.00د.م. | 1.00د.م. | 1.50د.م. |
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|
| Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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| Description |
| 2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w | Transistor bipolaire, 2N3906, PNP -40 V -200 mA, TO-92, 3 broches | MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 | Transistor bipolaire, BC337-40, NPN 45V 800mA | 2N4401 40V Transistor NPN |
| Content | Caractéristiques:
| Petit signal PNP, 150 → 400 mAPetit signal PNPLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P. | Courant de drain Id: 17A | Petits signaux NPN, 600 → 800 mAPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. |
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| Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
| Additional information |
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