K-5204K 80g Pâte de dissipation thermique au Silicone

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  • Pâte de dissipation thermique au Silicone
  • Assure une protection de longue durée des circuits électriques
  • Colle à haute conductivité thermique pour CPU

Description

Comment utiliser:
Préparation:
Nettoyez les surfaces non collées ou non recouvertes en enlevant la rouille, les cendres et l’huile, etc.
Application:
Percer l’ouverture avec la pointe du bouchon. Fixer la buse,
Et revêtir la surface propre uniformément avec les adhésifs, puis lier les deux surfaces.
Attention:
Après l ‘application, vissez fermement la buse et rangez la dans un endroit sec et frais pour la prochaine utilisation.
Il peut y avoir un peu de gel durci autour de l’ouverture lorsque vous l’utilisez à nouveau, il suffit d’enlever le guéri, et d’utiliser le non durci.

EMBALLAGE: 80g / tube
ENTREPOSAGE: Entreposer dans un endroit frais et sec, la durée de conservation est de 12 mois (<= 25 ° c).

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SettingsK-5204K 80g Pâte de dissipation thermique au Silicone remove2N4401 40V Transistor NPN removeBC107 NPS transistor TO-92 remove2N3055 Transistor bipolaire, NPN, 60 V, 15 A, TO-204AA, 2 broches removeBC547A, NPN 45V 100mA removeNPN,BC546 remove
ImageK-5204K 80g Colle à haute conductivité thermique pour CPU2N4401 40V Transistor NPNBC107 NPS transistor TO-92BC547A, NPN 45V 100mATransistor bipolaire NPN, BC546
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Description
  • Pâte de dissipation thermique au Silicone
  • Assure une protection de longue durée des circuits électriques
  • Colle à haute conductivité thermique pour CPU

2N4401 40V  Transistor NPN

BC547A, NPN 45V 100mA

5xTransistor bipolaire NPN, BC546

Content

Comment utiliser: Préparation: Nettoyez les surfaces non collées ou non recouvertes en enlevant la rouille, les cendres et l'huile, etc. Application: Percer l'ouverture avec la pointe du bouchon. Fixer la buse, Et revêtir la surface propre uniformément avec les adhésifs, puis lier les deux surfaces. Attention: Après l 'application, vissez fermement la buse et rangez la dans un endroit sec et frais pour la prochaine utilisation. Il peut y avoir un peu de gel durci autour de l'ouverture lorsque vous l'utilisez à nouveau, il suffit d'enlever le guéri, et d'utiliser le non durci.

EMBALLAGE: 80g / tube ENTREPOSAGE: Entreposer dans un endroit frais et sec, la durée de conservation est de 12 mois (<= 25 ° c).
  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
  • Courant de collecteur DC: 600mA
  • Nombre de broches: 3
  • Température de fonctionnement max..: 150°C
  • Polarité transistor: NPN
  • Type de boîtier de transistor: TO-92

Caractéristiques:

  • Package     TO-92
  • Collector-Emitter Voltage (VCEO)     45V
  • Collector-Base Voltage (VCBO)     50V
  • Emitter-Base Voltage (VEBO)     6V
  • Collector Current (IC)     200mA
  • Total Dissipation 25°C (PD)     750mW
  • DC Current Gain IC=2mA VCE=5VDC (HFE)     110-450
Caractéristiques techniques:
  • Type de transistor    NPN
  • Courant continu de Collecteur maximum    15 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum    60 V
  • Type de boîtier    TO-204AA
  • Type de montage    Traversant
  • Dissipation de puissance maximum    115 W
  • Gain en courant DC minimum    5
  • Configuration du transistor    Simple
  • Tension Collecteur Base maximum    100 V
  • Tension Émetteur Base maximum    7 V
  • Fréquence de fonctionnement maximum    1 MHz
  • Nombre de broche    2
  • Nombre d'éléments par circuit    1

Petit signal NPN, 100 mA, 40 → 45 V

 

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

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