2SC5200-O 230V 15A Transistor NPN

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Les transistors 2SA5200 (NPN) est le 2SA1943 (PNP) pour réaliser un ampli audio hifi ou sono

  • Tension Vce : 230V max
  • Courant collecteur Ic : 15A

Description

Caractéristiques:

  • Type de transistor    NPN
  • Courant continu de Collecteur maximum    15 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum    230 V
  • Type de boîtier    TO-3PL
  • Type de montage    Traversant
  • Dissipation de puissance maximum    150 W
  • Gain en courant DC minimum    35
  • Configuration du transistor    Simple
  • Tension Collecteur Base maximum    230 V
  • Tension Emetteur Base maximum    5 V
  • Nombre de broche   

 

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Settings2SC5200-O 230V 15A Transistor NPN remove2N3904 TRANSISTOR NPN TO-92 remove1.2A 600V Mosfet - Transistor MOSFET Canal-N removeBC547A, NPN 45V 100mA remove0.5A dc 60V dc Mosfet - Transistor MOSFET Canal-N removeD1795 Transistor NPN 10A remove
Image2SC5200-O 230V 15A Transistor NPN2N3904 TRANSISTOR NPN TO-92Transistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600VBC547A, NPN 45V 100mATransistor MOSFETCanal-N, 0.5A dc 60V dcD1795 Transistor NPN 10A
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Description

Les transistors 2SA5200 (NPN) est le 2SA1943 (PNP) pour réaliser un ampli audio hifi ou sono

  • Tension Vce : 230V max
  • Courant collecteur Ic : 15A
  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
  • Courant de collecteur DC: 200mA

5xTransistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600V

Ce produit est vendu par packet de 5 unités.

BC547A, NPN 45V 100mA

5xTransistor MOSFETCanal-N, 0.5A dc 60V dc

Ce produit est vendu par packet de 5 unités.

D1795 Transistor NPN 10A

Content

Caractéristiques:

  • Type de transistor    NPN
  • Courant continu de Collecteur maximum    15 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum    230 V
  • Type de boîtier    TO-3PL
  • Type de montage    Traversant
  • Dissipation de puissance maximum    150 W
  • Gain en courant DC minimum    35
  • Configuration du transistor    Simple
  • Tension Collecteur Base maximum    230 V
  • Tension Emetteur Base maximum    5 V
  • Nombre de broche   

 

Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 A

 

MOSFET - Canal N

Le transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
Une tension sur l'électrode grille isolée par un oxyde peut créer un canal de conduction entre les deux autres contacts appelés Source et Drain. Le canal peut être de type N ou de type P.

Petit signal NPN, 100 mA, 40 → 45 V

 

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 A

MOSFET - Canal N

Le transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
Une tension sur l'électrode grille isolée par un oxyde peut créer un canal de conduction entre les deux autres contacts appelés Source et Drain. Le canal peut être de type N ou de type P.

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